Đường dây nóng Dịch vụ
Cree, Qorvo, NXP, MicrochipNhiều công ty khác cũng đã mạnh mẽ tung ra các sản phẩm gallium nitride 5G;Điện Sumitomo,NXPCông ty này cũng đang xây dựng một nhà máy sản xuất gallium nitride 5G tại Hoa Kỳ.
GaN sẽ được sử dụng trong triển khai 5G.Thay thế công nghệ LDMOSDự kiến nhu cầu về thiết bị RF GaN trong thị trường 5G sẽ đạt mức6.27 tỷ nhân dân tệ.At present, some companies have begun to obtain large orders.ví dụErlu has obtained a long-term supply agreement of 646 million yuan..
Thông báo: Để tham gia nhóm các ông trùm bán dẫn thế hệ thứ ba, vui lòng thêm WeChat: Joyce_sdb
Sumitomo và NXP xây dựng nhà máy
Nhiều công ty đang quảng bá gallium nitride 5G.
Tôi không biết có nên làm theo hay không.Đại hội Thế giới Di động (MWC)Gần đây, gallium nitride thế hệ 5G xuất hiện khá thường xuyên.
Theo một báo cáo của Nikkei ngày 4 tháng 7,Điện SumitomoBillions of yen will be invested (1 billion yen is equivalent to 58 million yuan) and will be established in the New Jersey factory in the United States starting in September.Dây chuyền sản xuất chip 5G.
NXP cũng đang xây dựng nhà máy tại Hoa Kỳ. Vào ngày 30 tháng 9 năm 2020, NXP thông báo rằng họ đã mở một nhà máy ở Arizona, Hoa Kỳ, sẽ sử dụngTấm wafer gallium nitride 6 inch để sản xuất chip 5GNhà máy sẽ đạt công suất sản xuất tối đa vào cuối năm 2020.
cũng thế,Thor cũng tham gia. On May 19, Raytheon announced that it would cooperate with foundry GlobalFoundries to develop new silicon-based gallium nitride to bring "game-changing" radio frequency performance to 5G and 6G facilities.
Ngoài ra, cũng có rất nhiều công ty lần lượt cho ra mắt các sản phẩm gallium nitride 5G.
|
Tháng Sáu 29 |
Qorvo ra mắt bộ khuếch đại công suất gallium nitride được thiết kế đặc biệt cho các trạm gốc 5G cỡ nhỏ. |
|
Tháng Sáu 28 |
NXP đã cho ra mắt giải pháp tần số vô tuyến 5G dựa trên nền tảng mô-đun đa chip GaN. |
|
Tháng Sáu 22 |
Microchip ra mắt bộ khuếch đại công suất MMIC GaN được thiết kế đặc biệt cho mạng 5G. |
|
Tháng Sáu 9 |
Cree hợp tác với MaxLinear để ra mắt giải pháp khuếch đại công suất tần số trung bình GaN-on-SiC. |
Hiện tại, một số công ty đã được hưởng lợi. Vào tháng 12 năm 2019, II-VI thông báo rằng họ đã ký một thỏa thuận có tổng giá trị hơn...100 triệu đô la Mỹ (khoảng 646 triệu nhân dân tệ)A multi-year agreement to provide silicon carbide substrates for gallium nitride RF power amplifiers in 5G wireless base stations.
Báo cáo tài chính mới nhất của Qorvo cho thấy rằng quý IV năm tài chính 2021 của Qorvo (tính đến ngày 3 tháng 4 năm 2021)Doanh thu đạt 1.073 tỷ đô la Mỹ (khoảng 6.9 tỷ nhân dân tệ).và các sản phẩm RF 5G là một động lực quan trọng.
Yole predicts that the GaN RF market size will reach 20262.4 tỷ đô la Mỹ (khoảng 15.36 tỷ nhân dân tệ)Trong đó, doanh thu từ công nghệ RF GaN viễn thông 5G sẽ chiếm 41% vào năm 2026.About 6.27 billion yuan.
Tại sao 5G cần GaN?
Các chuyên gia trong ngành tin rằng mặc dù công nghệ LDMOS vẫn chiếm thị phần lớn nhất trong các trạm gốc tần số vô tuyến, nhưng GaN dự kiến sẽ tiếp tục thay thế nó trong công nghệ 5G massive MIMO. Được biết, vào năm 2014,Các nhà mạng viễn thông Trung Quốc bắt đầu áp dụng các giải pháp tần số vô tuyến GaN trong quá trình triển khai mạng 4G LTE.
Nói chung,Việc sử dụng GaN cho truyền thông 5G mang lại những lợi ích sau:
GaN có mật độ công suất cao hơn và có thể truyền tín hiệu với công suất lớn hơn, do đó mở rộng phạm vi phủ sóng của các trạm gốc.
Mật độ công suất cao hơn cũng giúp giảm kích thước tổng thể của giải pháp, yêu cầu ít không gian trên bảng mạch in hơn.
Các bộ khuếch đại công suất GaN có thể hoạt động ở nhiệt độ lên đến 250 độ Fahrenheit, giúp đơn giản hóa yêu cầu về tản nhiệt và làm mát hệ thống, từ đó giảm kích thước và chi phí hơn nữa.
GaN cũng giúp giảm chi phí vận hành các trạm gốc. Trong cấu hình Doherty PA, GaN có hiệu suất trung bình lên đến 60% và công suất đầu ra 100W, giúp giảm đáng kể mức tiêu thụ điện năng khi vận hành.
Theo Cree, giải pháp mà họ hợp tác với MaxLinear có thể cung cấp tần số vô tuyến MIMO khổng lồ cần thiết cho các ứng dụng 5G.Tiết kiệm hàng trăm watt điện năng tiêu thụVới băng thông tức thời 280MHz và công suất đầu ra trung bình 39.5dBm, hiệu suất của bộ khuếch đại xấp xỉ 50%.
At 2.6 GHz, NXP’s GaN multi-chip modules combine productsHiệu suất tăng lên 52%Cao hơn 8% so với mô-đun thế hệ trước của công ty.
Dòng sản phẩm khuếch đại GaN của Qorvo mang đến cho khách hàng hiệu suất tăng công suất (PAE) cao, trong hầu hết các trường hợp.Hơn 30%và bao gồm các dải tần chính dưới 7 GHz của 3GPP.
Giải pháp GaN-trên-SiC của Microchip cung cấplên đến 10WCông suất đầu ra RF bão hòa.
Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Bài viết này được đăng lại từ "GaN World". Bài viết này chỉ thể hiện quan điểm cá nhân của tác giả và không đại diện cho quan điểm của Sacco Micro hay ngành công nghiệp. Bài viết được đăng lại và chia sẻ chỉ nhằm mục đích bảo vệ quyền sở hữu trí tuệ. Vui lòng ghi rõ nguồn và tác giả khi đăng lại. Nếu có bất kỳ sự vi phạm nào, vui lòng liên hệ với chúng tôi để gỡ bỏ.
Số điện thoại công ty: +86-0755-83044319
Số fax: +86-0755-83975897
Email: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Quản lý Li
QQ: 332496225 Quản lý Qiu
Địa chỉ: Phòng 809, Tòa nhà C, Tòa nhà Công nghệ Zhantao, Số 1079 Đại lộ Minzhi, Khu Longhua Mới, Thâm Quyến




粤公网安备44030002007346号