Cree, Qorvo, NXP, MicrochipDe nombreuses autres entreprises ont lancé intensivement des produits en nitrure de gallium 5G ;Sumitomo Electric,NXPElle construit également une usine de nitrure de gallium 5G aux États-Unis.

Le GaN sera déployé dans le cadre de la 5G.Remplacer la technologie LDMOS, on s'attend à ce que la demande de dispositifs RF GaN sur le marché de la 5G atteigne6.27 milliard de yuans.Actuellement, certaines entreprises ont commencé à obtenir d'importantes commandes.par exempleErlu a obtenu un contrat d'approvisionnement à long terme d'une valeur de 646 millions de yuans..

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Sumitomo et NXP construisent des usines

De nombreuses entreprises font la promotion du nitrure de gallium 5G

Je ne sais pas si je dois suivreCongrès mondial de la téléphonie mobile (mwc)Récemment, le nitrure de gallium 5G est apparu fréquemment.

Selon un article du Nikkei daté du 4 juillet,Sumitomo ElectricDes milliards de yens seront investis (1 milliard de yens équivaut à 58 millions de yuans) et seront implantés dans l'usine du New Jersey aux États-Unis à partir de septembre.Ligne de production de puces 5G.

NXP implante également des usines aux États-Unis. Le 30 septembre 2020, NXP a annoncé l'ouverture d'une usine en Arizona, aux États-Unis, qui utiliseraPlaquette de nitrure de gallium de 6 pouces pour la production de puces 5GL'usine atteindra sa pleine capacité de production d'ici fin 2020.

aussi,Thor est également impliqué.Le 19 mai, Raytheon a annoncé sa coopération avec la fonderie GlobalFoundries pour développer un nouveau nitrure de gallium à base de silicium afin d'offrir des performances radiofréquences révolutionnaires aux installations 5G et 6G.

De nombreuses entreprises ont également lancé les unes après les autres des produits à base de nitrure de gallium 5G.

À l'heure actuelle, certaines entreprises en ont profité. En décembre 2019, II-VI a annoncé avoir signé un accord d'un montant total de plus de100 millions de dollars américains (environ 646 millions de yuans)Un accord pluriannuel pour la fourniture de substrats en carbure de silicium destinés aux amplificateurs de puissance RF en nitrure de gallium pour les stations de base sans fil 5G.

Le dernier rapport financier de Qorvo montre que le quatrième trimestre de l'exercice 2021 de Qorvo (au 3 avril 2021)Le chiffre d'affaires s'élevait à 1.073 milliard de dollars américains (environ 6.9 milliards de yuans).et les produits RF 5G constituent un moteur important.

Yole prévoit que la taille du marché des radiofréquences GaN atteindra 2026.2.4 milliards de dollars américains (environ 15.36 milliards de RMB), parmi lesquels les revenus liés aux technologies RF GaN pour les télécommunications 5G représenteront 41 % en 2026.Environ 6.27 milliards de yuans.

Pourquoi la 5G a-t-elle besoin de GaN ?

Les experts du secteur estiment que, bien que la technologie LDMOS détienne encore la plus grande part de marché dans les stations de base radiofréquences, le GaN devrait continuer à la remplacer dans la 5G MIMO massive. Il est entendu qu'en 2014,Les opérateurs de télécommunications chinois ont commencé à adopter des solutions radiofréquences GaN lors du déploiement de la 4G LTE.

De manière générale,L'utilisation du GaN pour les communications 5G présente les avantages suivants :

Le GaN possède une densité de puissance plus élevée et peut transmettre des signaux avec une puissance supérieure, étendant ainsi la couverture des stations de base.

Une densité de puissance plus élevée contribue également à réduire la taille globale de la solution, nécessitant ainsi moins d'espace sur le circuit imprimé.

Les amplificateurs de puissance GaN peuvent fonctionner jusqu'à 250 degrés Fahrenheit, ce qui simplifie les exigences en matière de dissipateur thermique et de refroidissement du système, réduisant ainsi davantage la taille et le coût.

Le GaN contribue également à réduire les coûts d'exploitation des stations de base. Dans la configuration Doherty PA, le GaN présente un rendement moyen pouvant atteindre 60 % et une puissance de sortie de 100 W, ce qui réduit considérablement la consommation d'énergie.

Selon Cree, la solution développée en collaboration avec MaxLinear peut fournir la fréquence radio MIMO massive requise pour les applications 5G.Économisez des centaines de watts de consommation électriqueAvec une bande passante instantanée de 280 MHz et une puissance de sortie moyenne de 39.5 dBm, le rendement de l'amplificateur est d'environ 50 %.

À 2.6 GHz, les modules multi-puces GaN de NXP combinent des produitsL'efficacité a augmenté à 52%, 8 % de plus que le module de génération précédente de l'entreprise.

La gamme d'amplificateurs GaN de Qorvo offre aux clients un rendement d'amplification de puissance (PAE) élevé, dans la plupart des cas.Plus de 30%et couvre les principales bandes de fréquences 3GPP inférieures à 7 GHz.

La solution GaN sur SiC de Microchip offrejusqu'à 10WPuissance de sortie RF saturée.

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