크리, 코르보, NXP, 마이크로칩을 비롯한 많은 기업들이 5G 질화갈륨 제품을 집중적으로 출시하고 있으며, 스미토모 전기 와 NXP 또한 미국에 5G 질화갈륨 공장을 건설하고 있습니다.

GaN은 5G 구축에서 LDMOS 기술을 대체 할 예정이며, 5G 시장에서 GaN RF 소자에 대한 수요는 62억 7천만 위안 에 달할 것으로 예상됩니다 . 현재 일부 기업들은 이미 대규모 수주를 확보하고 있으며, 예를 들어 얼루(Erlu)는 6억 4천 6백만 위안 규모의 장기 공급 계약을 체결했습니다.

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스미토모와 NXP가 공장을 건설합니다.

Many companies are promoting 5G gallium nitride

최근 모바일 월드 콩그레스(MWC) 에서 5G 질화갈륨이 자주 언급되는 걸 보고 따라가야 할지 고민 중입니다 .

닛케이의 7월 4일자 보도에 따르면, 스미토모 전기 는 수십억 엔(10억 엔은 5,800만 위안)을 투자하여 9월부터 미국 뉴저지에 5G 칩 생산 라인을 구축할 예정이다.

NXP 또한 미국에 공장을 설립하고 있습니다. 2020년 9월 30일, NXP는 미국 애리조나에 6인치 질화갈륨 웨이퍼를 사용하여 5G 칩을 생산하는 공장을 개설했다고 발표했습니다 . 이 공장은 2020년 말까지 완전 가동될 예정입니다.

또한,토르도 관련되어 있습니다.. On May 19, Raytheon announced that it would cooperate with foundry GlobalFoundries to develop new silicon-based gallium nitride to bring "game-changing" radio frequency performance to 5G and 6G facilities.

There are also many companies that have launched 5G gallium nitride products one after another.

현재 일부 기업들은 이러한 추세의 혜택을 보고 있습니다. 2019년 12월, II-VI는 5G 무선 기지국용 질화갈륨 RF 전력 증폭기에 사용되는 탄화규소 기판을 공급하는 1억 달러(약 6억 4,600만 위안) 이상의 다년 계약을 체결했다고 발표했습니다.

코르보의 최신 재무 보고서에 따르면 2021 회계연도 4분기(2021년 4월 3일 기준) 매출은 10억 7,300만 달러(약 6.9억 위안)를 기록했으며 , 5G RF 제품이 주요 성장 동력으로 작용했습니다.

Yole은 GaN RF 시장 규모가 2026년 2.4억 달러(약 153억 6천만 위안) 에 달할 것으로 예측하며 , 그중 5G 통신용 GaN RF 매출이 2026년 전체 매출의 41%인 약 62억 7천만 위안을 차지할 것으로 전망했습니다.

Why does 5G need GaN?

업계 전문가들은 LDMOS 기술이 여전히 기지국 무선 주파수 시장에서 가장 큰 시장 점유율을 차지하고 있지만, GaN이 5G 매시브 MIMO에서 이를 대체할 것으로 예상하고 있습니다. 2014년 중국 통신 사업자들이 4G LTE 구축 과정에서 GaN 무선 주파수 솔루션을 도입하기 시작한 것으로 알려져 있습니다.

일반적으로 5G 통신에 GaN을 사용하는 것은 다음과 같은 이점을 제공합니다.

GaN은 전력 밀도가 더 높고 더 강력한 신호 전송이 가능하여 기지국의 커버리지를 확장할 수 있습니다.

전력 밀도가 높을수록 전체 솔루션 크기가 줄어들어 PCB 공간을 덜 차지하게 됩니다.

GaN 전력 증폭기는 최대 250도 화씨(섭씨 약 121도)에서 작동할 수 있어 시스템 방열판 및 냉각 요구 사항을 간소화하고 크기와 비용을 더욱 절감할 수 있습니다.

? GaN also helps reduce the cost of operating base stations. In the Doherty PA configuration, GaN has an average efficiency of up to 60% and an output power of 100W, significantly reducing operating power consumption.

크리에 따르면, 맥스리니어와 협력하여 개발한 솔루션은 5G 애플리케이션에 필요한 대규모 MIMO 무선 주파수를 제공할 수 있습니다.Save hundreds of watts of power consumption순간 대역폭이 280MHz이고 평균 출력 전력이 39.5dBm일 때, 증폭기의 효율은 약 50%입니다.

NXP의 GaN 멀티칩 모듈은 2.6GHz에서 제품 효율이 52%로 향상되었으며 , 이는 이전 세대 모듈보다 8% 높은 수치입니다.

Qorvo의 GaN 증폭기 제품군은 대부분의 경우 30% 이상의 높은 전력 부가 효율(PAE)을 제공하며 , 주요 7GHz 이하 3GPP 주파수 대역을 지원합니다.

마이크로칩의 GaN-on-SiC 솔루션은 최대 10W의 포화 RF 출력 전력을 제공합니다.

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