Cree, Qorvo, NXP, MicrochipVeel andere bedrijven hebben al intensief 5G-galliumnitrideproducten op de markt gebracht;Sumitomo Electric,NXPIt is also building a 5G gallium nitride factory in the United States.

GaN zal worden ingezet bij de implementatie van 5G.Replace LDMOS technologyNaar verwachting zal de vraag naar GaN RF-apparaten op de 5G-markt een bepaald niveau bereiken.6.27 miljard yuan.Momenteel ontvangen sommige bedrijven grote orders.bij voorbeeldErlu heeft een langetermijnleveringscontract ter waarde van 646 miljoen yuan binnengehaald..

Onderbreking: Om lid te worden van de WeChat-groep voor leidinggevenden in de derde generatie halfgeleiders, voeg Joyce_sdb toe.

Sumitomo en NXP bouwen fabrieken

Veel bedrijven promoten galliumnitride voor 5G.

Ik weet niet of ik moet volgen.Mobiel Wereldcongres (MWC)Recently, 5G gallium nitride has appeared frequently.

Volgens een bericht van Nikkei van 4 juli,Sumitomo ElectricEr zal voor miljarden yen worden geïnvesteerd (1 miljard yen is gelijk aan 58 miljoen yuan) en de fabriek in New Jersey, Verenigde Staten, zal vanaf september in gebruik worden genomen.5G-chipproductielijn.

Ook NXP vestigt fabrieken in de Verenigde Staten. Op 30 september 2020 kondigde NXP aan dat het een fabriek had geopend in Arizona, VS, die gebruik zal maken van6-inch galliumnitride wafer voor de productie van 5G-chipsDe fabriek zal eind 2020 op volle productiecapaciteit draaien.

ook,Thor is er ook bij betrokken.Op 19 mei kondigde Raytheon aan dat het zou samenwerken met gieterij GlobalFoundries om een ​​nieuw siliciumgebaseerd galliumnitride te ontwikkelen dat baanbrekende radiofrequentieprestaties moet leveren voor 5G- en 6G-netwerken.

Er zijn ook veel bedrijven die de een na de ander 5G-producten op basis van galliumnitride op de markt hebben gebracht.

Momenteel hebben sommige bedrijven hiervan geprofiteerd. In december 2019 kondigde II-VI aan dat het een overeenkomst had gesloten ter waarde van meer dan100 miljoen dollar (ongeveer 646 miljoen RMB)Een meerjarige overeenkomst voor de levering van siliciumcarbidesubstraten voor galliumnitride RF-vermogensversterkers in 5G draadloze basisstations.

Uit het meest recente financiële rapport van Qorvo blijkt dat Qorvo's resultaten voor het vierde kwartaal van het fiscale jaar 2021 (per 3 april 2021)De omzet bedroeg 1.073 miljard dollar (ongeveer 6.9 miljard RMB).En 5G RF-producten vormen een belangrijke drijvende kracht.

Yole voorspelt dat de omvang van de GaN RF-markt in 2026 zal bereiken.2.4 miljard dollar (ongeveer 15.36 miljard RMB)waarvan de inkomsten uit 5G Telecom GaN RF in 2026 naar verwachting 41% zullen uitmaken.Ongeveer 6.27 miljard yuan.

Why does 5G need GaN?

Experts in de sector zijn van mening dat, hoewel LDMOS-technologie nog steeds het grootste marktaandeel heeft in radiofrequentiebasisstations, GaN deze naar verwachting steeds meer zal vervangen in 5G Massive MIMO. Naar verluidt zal in 2014,Chinese telecomaanbieders zijn tijdens de uitrol van 4G LTE begonnen met het gebruik van GaN-radiofrequentieoplossingen.

Over het algemeen,Het gebruik van GaN voor 5G-communicatie biedt de volgende voordelen:

GaN heeft een hogere vermogensdichtheid en kan signalen met een hoger vermogen verzenden, waardoor het bereik van basisstations wordt vergroot.

Een hogere vermogensdichtheid draagt ​​ook bij aan een kleinere totale oplossing, waardoor er minder ruimte op de printplaat nodig is.

? GaN power amplifiers can operate at up to 250 degrees Fahrenheit, simplifying system heat sink and cooling requirements, further reducing size and cost.

GaN draagt ​​ook bij aan lagere operationele kosten voor basisstations. In de Doherty PA-configuratie heeft GaN een gemiddeld rendement van maximaal 60% en een uitgangsvermogen van 100W, waardoor het stroomverbruik aanzienlijk wordt verminderd.

Volgens Cree kan de oplossing die ze samen met MaxLinear hebben ontwikkeld, de massale MIMO-radiofrequentie leveren die nodig is voor 5G-toepassingen.Bespaar honderden watt aan stroomverbruik.. At an instantaneous bandwidth of 280MHz and an average output power of 39.5dBm, the amplifier efficiency is approximately 50%.

De GaN-multichipmodules van NXP combineren producten op 2.6 GHz.De efficiëntie steeg naar 52%.8% hoger dan de module van de vorige generatie van het bedrijf.

Qorvo’s family of GaN amplifiers offers customers high power-added efficiency (PAE), in most casesMeer dan 30%en bestrijkt de belangrijkste 3GPP-frequentiebanden onder de 7 GHz.

De GaN-on-SiC-oplossing van Microchip biedttot 10Wverzadigd RF-uitgangsvermogen.

Disclaimer: Dit artikel is overgenomen uit "GaN World". Dit artikel geeft uitsluitend de persoonlijke mening van de auteur weer en vertegenwoordigt niet de standpunten van Sacco Micro en de industrie. Het wordt alleen overgenomen en gedeeld ter ondersteuning van de bescherming van intellectuele eigendomsrechten. Vermeld bij overname de oorspronkelijke bron en auteur. Neem bij inbreuk contact met ons op zodat we het artikel kunnen verwijderen.

Telefoonnummer van het bedrijf: +86-0755-83044319
Fax: +86-0755-83975897
E-mail: 1615456225@qq.com
Vraag: 3518641314 Manager Li

Vraag: 332496225 Manager Qiu

Adres: Kamer 809, Gebouw C, Zhantao Technologiegebouw, Minzhilaan 1079, Longhua Nieuw District, Shenzhen