Cree, Qorvo, NXP, MicrochipМногие другие компании активно внедряют продукты на основе нитрида галлия для 5G;Сумитомо Электрик,NXPКомпания также строит завод по производству нитрида галлия для 5G в Соединенных Штатах.

GaN будет использоваться в сетях 5G.Replace LDMOS technology, it is expected that the demand for GaN RF devices in the 5G market will reach6.27 млрд юаней.В настоящее время некоторые компании начали получать крупные заказы.напримерErlu has obtained a long-term supply agreement of 646 million yuan..

Внимание! Чтобы присоединиться к группе руководителей полупроводниковой отрасли третьего поколения, добавьте в WeChat: Joyce_sdb

Sumitomo и NXP строят заводы.

Многие компании продвигают 5G на основе нитрида галлия.

Я не знаю, стоит ли следовать за вами.Мобильный всемирный конгресс (MWC)В последнее время нитрид галлия для 5G стал появляться всё чаще.

According to a report by Nikkei on July 4,Сумитомо ЭлектрикВ проект будут инвестированы миллиарды иен (1 миллиард иен эквивалентен 58 миллионам юаней), и его строительство на заводе в Нью-Джерси, США, начнется в сентябре.Линия по производству чипов 5G.

Компания NXP также открывает заводы в США. 30 сентября 2020 года NXP объявила об открытии завода в Аризоне, США, который будет использовать...6-дюймовая пластина из нитрида галлия для производства чипов 5GЗавод выйдет на полную производственную мощность к концу 2020 года.

также,Тор также принимает участие.. On May 19, Raytheon announced that it would cooperate with foundry GlobalFoundries to develop new silicon-based gallium nitride to bring "game-changing" radio frequency performance to 5G and 6G facilities.

Также существует множество компаний, которые одна за другой выпустили продукты на основе нитрида галлия для 5G.

В настоящее время некоторые компании уже получили выгоду. В декабре 2019 года компания II-VI объявила о заключении сделки на сумму более...100 миллиона долларов США (приблизительно 646 миллиона юаней)Многолетнее соглашение о поставке подложек из карбида кремния для радиочастотных усилителей мощности на основе нитрида галлия в базовых станциях беспроводной связи 5G.

Qorvo's latest financial report shows that Qorvo's fourth quarter of fiscal year 2021 (as of April 3, 2021)Выручка составила 1.073 миллиарда долларов США (приблизительно 6.9 миллиарда юаней).и радиочастотные продукты 5G являются важной движущей силой.

Компания Yole прогнозирует, что объем рынка радиочастотных устройств на основе нитрида галлия (GaN) достигнет 2026 года.2.4 млрд долларов США (примерно 15.36 млрд юаней)Среди них на выручку от продаж GaN RF для 5G-телекоммуникаций в 2026 году придется 41%.Примерно 6.27 миллиарда юаней.

Зачем 5G нужен GaN?

Эксперты отрасли считают, что, хотя технология LDMOS по-прежнему занимает наибольшую долю рынка в базовых станциях радиочастотного диапазона, ожидается, что GaN продолжит вытеснять её в сетях 5G Massive MIMO. Известно, что в 2014 году...В ходе развертывания сетей 4G LTE китайские телекоммуникационные операторы начали внедрять радиочастотные решения на основе нитрида галлия (GaN).

Вообще говоря,Использование нитрида галлия (GaN) для связи в сетях 5G имеет следующие преимущества:

GaN обладает более высокой удельной мощностью и может передавать сигналы с большей мощностью, тем самым расширяя зону покрытия базовых станций.

Более высокая удельная мощность также способствует уменьшению общих габаритов решения, что позволяет сократить занимаемое пространство на печатной плате.

Усилители мощности на основе нитрида галлия (GaN) могут работать при температуре до 250 градусов по Фаренгейту, что упрощает требования к радиатору и охлаждению системы, а также способствует уменьшению размеров и стоимости.

Использование GaN также помогает снизить стоимость эксплуатации базовых станций. В конфигурации усилителя мощности Доэрти GaN имеет среднюю эффективность до 60% и выходную мощность 100 Вт, что значительно снижает энергопотребление.

По словам компании Cree, разработанное ими совместно с MaxLinear решение позволяет обеспечить радиочастотную связь Massive MIMO, необходимую для приложений 5G.Save hundreds of watts of power consumption. At an instantaneous bandwidth of 280MHz and an average output power of 39.5dBm, the amplifier efficiency is approximately 50%.

Многокристальные модули NXP на основе нитрида галлия (GaN) с частотой 2.6 ГГц объединяют в себе различные продукты.Efficiency increased to 52%, 8% higher than the company’s previous generation module.

Семейство GaN-усилителей Qorvo в большинстве случаев обеспечивает клиентам высокую эффективность преобразования мощности (PAE).Более 30%и охватывает основные частотные диапазоны 3GPP ниже 7 ГГц.

Решение GaN-on-SiC от Microchip обеспечиваетдо 10WНасыщенная выходная мощность ВЧ-сигнала.

Отказ от ответственности: Данная статья перепечатана из "GaN World". Статья отражает только личное мнение автора и не представляет точку зрения Sacco Micro и отрасли в целом. Перепечатка и распространение осуществляются исключительно в целях защиты прав интеллектуальной собственности. При перепечатке, пожалуйста, указывайте первоисточник и автора. В случае нарушения авторских прав, пожалуйста, свяжитесь с нами для удаления публикации.

Номер телефона компании: +86-0755-83044319
Факс: +86-0755-83975897
Почта: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Менеджер Ли

QQ: 332496225 Менеджер Цю

Адрес: Комната 809, корпус C, технологический корпус Чжаньтао, проспект Миньчжи, 1079, новый район Лунхуа, Шэньчжэнь.