Cree, Qorvo, NXP, MicrochipViele andere Unternehmen haben intensiv 5G-Galliumnitridprodukte auf den Markt gebracht;Sumitomo Electric,NXPAußerdem baut das Unternehmen in den Vereinigten Staaten eine 5G-Galliumnitridfabrik.

GaN wird beim 5G-Ausbau zum Einsatz kommen.LDMOS-Technologie ersetzenEs wird erwartet, dass die Nachfrage nach GaN-HF-Bauelementen im 5G-Markt einen bestimmten Wert erreichen wird.6.27 Milliarden Yuan.Inzwischen haben einige Unternehmen begonnen, Großaufträge zu erhalten.z.B.Erlu hat einen langfristigen Liefervertrag über 646 Millionen Yuan abgeschlossen..

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Sumitomo und NXP bauen Fabriken

Viele Unternehmen bewerben 5G-Galliumnitrid.

Ich weiß nicht, ob ich folgen soll.Mobile World Congress (mwc)In letzter Zeit ist 5G-Galliumnitrid häufiger aufgetreten.

Laut einem Bericht von Nikkei vom 4. JuliSumitomo ElectricEs werden Milliarden von Yen investiert (1 Milliarde Yen entspricht 58 Millionen Yuan) und ab September wird eine Fabrik in New Jersey in den Vereinigten Staaten errichtet.5G-Chip-Produktionslinie.

Auch NXP errichtet Produktionsstätten in den Vereinigten Staaten. Am 30. September 2020 gab NXP die Eröffnung eines Werks in Arizona, USA, bekannt, das …6-Zoll-Galliumnitrid-Wafer zur Herstellung von 5G-ChipsDie Fabrik wird bis Ende 2020 die volle Produktionskapazität erreichen.

ebenfalls,Thor ist ebenfalls beteiligt.Am 19. Mai kündigte Raytheon an, mit der Foundry GlobalFoundries zusammenzuarbeiten, um ein neues siliziumbasiertes Galliumnitrid zu entwickeln, das eine bahnbrechende Hochfrequenzleistung für 5G- und 6G-Anlagen ermöglichen soll.

Es gibt auch viele Unternehmen, die nacheinander 5G-Galliumnitridprodukte auf den Markt gebracht haben.

Bislang haben einige Unternehmen davon profitiert. Im Dezember 2019 gab II-VI bekannt, einen Vertrag im Wert von mehr als … unterzeichnet zu haben.100 Millionen US-Dollar (ca. 646 Millionen RMB)Eine mehrjährige Vereinbarung zur Lieferung von Siliziumkarbid-Substraten für Galliumnitrid-HF-Leistungsverstärker in 5G-Mobilfunkbasisstationen.

Der jüngste Finanzbericht von Qorvo zeigt, dass Qorvo im vierten Quartal des Geschäftsjahres 2021 (Stand: 3. April 2021)Der Umsatz betrug 1.073 Milliarden US-Dollar (ca. 6.9 Milliarden RMB)., und 5G-RF-Produkte sind eine wichtige Triebkraft.

Yole prognostiziert, dass der Markt für GaN-HF-Technologie im Jahr 2026 eine bestimmte Größe erreichen wird.2.4 Milliarden US-Dollar (ca. 15.36 Milliarden RMB), wobei der Umsatz mit 5G Telecom GaN RF im Jahr 2026 41 % ausmachen wird.Etwa 6.27 Milliarden Yuan.

Warum benötigt 5G GaN?

Branchenexperten gehen davon aus, dass GaN die LDMOS-Technologie zwar noch immer als Marktführer bei Funkbasisstationen etabliert hat, sie aber im Bereich 5G Massive MIMO voraussichtlich weiter verdrängen wird. Es wird davon ausgegangen, dass im Jahr 2014…Chinesische Telekommunikationsbetreiber begannen im Zuge der Einführung von 4G LTE mit der Anwendung von GaN-Hochfrequenzlösungen.

GenerellDie Verwendung von GaN für 5G-Kommunikation bietet folgende Vorteile:

GaN verfügt über eine höhere Leistungsdichte und kann Signale mit größerer Leistung übertragen, wodurch die Reichweite von Basisstationen erweitert wird.

Eine höhere Leistungsdichte trägt außerdem dazu bei, die Gesamtgröße der Lösung zu reduzieren, wodurch weniger Platz auf der Leiterplatte benötigt wird.

GaN-Leistungsverstärker können bei Temperaturen bis zu 250 Grad Fahrenheit betrieben werden, was die Anforderungen an Kühlkörper und Kühlung vereinfacht und somit Größe und Kosten weiter reduziert.

GaN trägt außerdem zur Senkung der Betriebskosten von Basisstationen bei. In der Doherty-PA-Konfiguration erreicht GaN einen durchschnittlichen Wirkungsgrad von bis zu 60 % und eine Ausgangsleistung von 100 W, wodurch der Stromverbrauch im Betrieb deutlich reduziert wird.

Laut Cree kann die gemeinsam mit MaxLinear entwickelte Lösung die für 5G-Anwendungen erforderliche massive MIMO-Funkfrequenz bereitstellen.Hunderte Watt Stromverbrauch einsparenBei einer momentanen Bandbreite von 280 MHz und einer durchschnittlichen Ausgangsleistung von 39.5 dBm beträgt der Wirkungsgrad des Verstärkers etwa 50 %.

Bei 2.6 GHz kombinieren die GaN-Multi-Chip-Module von NXP ProdukteDie Effizienz stieg auf 52 %., 8 % höher als beim Vorgängermodell des Unternehmens.

Die GaN-Verstärkerfamilie von Qorvo bietet Kunden in den meisten Fällen eine hohe Leistungsverstärkungseffizienz (PAE).Mehr als 30%und deckt die wichtigsten 3GPP-Frequenzbänder unter 7 GHz ab.

Die GaN-auf-SiC-Lösung von Microchip bietetbis zu 10WGesättigte HF-Ausgangsleistung.

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