Die SMBJ7.0CA ist eine bidirektionale, oberflächenmontierbare Überspannungsschutzdiode (TVS) im SMB/DO-214AA-Gehäuse aus der SMBJ-Serie von Slkor mit einer Sperrspannung V_RWM von 7.0 V. Sie basiert auf einem glaspassivierten Chip und bietet eine Impulsspitzenleistung von 600 W, ein schnelles Ansprechverhalten und eine ausgezeichnete Klemmfähigkeit. Das Gehäuse entspricht der Brennbarkeitsklasse UL94V-0. Die Diode dient dem Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD), Überspannung (EFT) und transienten Überspannungen an I/O-Ports, Stromversorgungsleitungen und Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen.

Slkor Transient Protection Diode P6SMB22A Produktfoto

1. Wichtige Produktparameter

Sofern nicht anders angegeben, beträgt die Umgebungstemperatur T_A = 25 °C. Die serienweiten absoluten Maximalwerte gelten für die gesamte SMBJ-Familie; die spezifischen elektrischen Parameter des SMBJ7.0CA sind separat aufgeführt.

1.1 Serienweite absolute Maximalwerte

• Spitzenimpuls-Verlustleistung P PK: 600W (nicht-repetitiver Impuls, T A =25℃ Basistemperatur; Reduzierung abhängig von der Impulsbreite und der Umgebungstemperatur);
• Spitzenstoßstrom I FSM: 100 A (8.3 ms einzelne Halbsinuswelle; maximales Tastverhältnis 4 Impulse pro Minute);
• Momentane Durchlassspannung V F: 3.5 V für Geräte mit V BR <100 V bei I PP =35 A; 5.0 V für Geräte mit V BR >100 V;
• Betriebs- und Lagertemperaturbereich T J /T STG: -55℃ bis +150℃.

1.2 Elektrische Parameter des SMBJ7.0CA

• Sperrspannung V RWM: 7.0 V (bidirektional);
• Durchbruchspannung V BR: min 7.78 V, max 8.95 V bei Teststrom I T = 10 mA;
• Maximale Klemmspannung V C: 12.0 V bei Spitzenimpulsstrom I PP = 50.0 A;
• Sperrleckstrom I R: max 200μA bei V RWM =7.0V;
• Reaktionszeit: schnell (inhärente TVS-Einschaltzeit im Nanosekundenbereich).

1.3 Gehäuse- und mechanische Daten

• Verpackung: SMB/DO-214AA gegossenes Kunststoff-SMD;
• Entflammbarkeitsbewertung: UL94V-0;
• Gewichtca. 0.093 g;
• Terminals: lötplattiert, lötbar nach MIL-STD-750, Methode 2026;
• Markierung: KM (bidirektionale Version);
• Gehäuseabmessungen (mm): Gesamtlänge 5.00–5.59, Körperbreite 4.06–4.70, Körperhöhe 3.30–3.94, Dicke 1.91–2.21;
• Polarität: Das bidirektionale Gerät hat keine Polaritätsmarkierungen (unidirektionale Geräte verwenden ein Kathodenband oder eine Kerbe).

2. Kernmerkmale des Produkts

1. Glaspassivierte Werkzeugkonstruktion für geringe Rückstromleckagen und hohe Langzeitzuverlässigkeit.
2. Bidirektionaler Schutz (Suffix CA) ohne Polaritätsbedenken, geeignet für Wechselstrom- oder polaritätsunsichere Leitungen.
3. 600 W Spitzenimpulsleistung unter 8/20μs-äquivalenter Stoßwellenform.
4. Hervorragende Klemmleistung: V C bis zu 12.0 V bei 50 A I PP , wodurch vorübergehende Überspannungen auf ein sicheres Niveau begrenzt werden.
5. Schnelle Antwortzeit zur Unterdrückung transienter Vorgänge im Nanosekundenbereich.
6. Oberflächenmontage-SMB-Paket mit UL94V-0 flammhemmender Umspritzung, kompatibel mit Standard-SMT-Bestückung.
7. Breites SpannungsspektrumDie Serie umfasst V RWM von 5.0 V bis 170 V, wobei eine Variante mit dem Suffix „A“ für geringe Leckströme zur konsistenten Auswahl auf Systemebene verfügbar ist.

3. Hauptanwendungsgebiete

1. ESD und ESD-Schutz an den I/O-Anschlüssen elektronischer Geräte.
2. Überspannungsunterdrückung am Netzteileingang und an den sekundärseitigen Versorgungsspannungen.
3. Schutz für tragbare Elektronik, Computer und Peripheriegeräteschnittstellen.
4. Automobilelektronik und industrielle Steuerschaltungen, die Überspannungsfestigkeit erfordern.
5. Schutz vor transienten Überspannungen in Kommunikations-, Daten- und Signalleitungen.

4. Empfehlungen für die Konstruktionsplanung

1. Auswahl der Stand-off-Spannung: V RWM (7.0 V) muss gleich oder größer als die Gleichspannung oder die kontinuierliche Spitzenbetriebsspannung der geschützten Leitung sein, um sicherzustellen, dass das Gerät im Normalbetrieb nichtleitend bleibt.
2. Klemmspannungsprüfung: Stellen Sie sicher, dass die maximale Spannungsfestigkeit des nachgeschalteten ICs die TVS-Klemmspannung (12.0 V) bei dem zu erwartenden Stoßstrom übersteigt; wählen Sie andernfalls eine niedrigere V RWM- Klasse oder fügen Sie einen sekundären Schutz hinzu.
3. PCB-LayoutPlatzieren Sie die TVS-Diode so nah wie möglich am geschützten Stecker oder Anschluss, mit kurzen, direkten Signalleitungen und einer minimalen Masseschleifenfläche, um die parasitäre Induktivität der Zuleitungen zu minimieren.
4. LeistungsreduzierungWenn die Umgebungstemperatur 25℃ überschreitet oder die Impulsbreite von der Standard-Wellenform von 8/20μs abweicht, wird P PK gemäß Abb. 1 (Spitzenimpulsleistung vs. Impulsbreite) und Abb. 2 (Temperatur-Derating-Kurve) reduziert.
5. Stoßstrom-Einschaltdauer: Der I FSM ist für eine einzelne Halbsinuswelle mit maximal 4 Impulsen pro Minute ausgelegt; bei wiederholten Stoßwellen muss die durchschnittliche Verlustleistung und die thermische Reserve bewertet werden.
6. Lötprozess: Überprüfen Sie die Lötbarkeit der Anschlüsse gemäß MIL-STD-750 Methode 2026; halten Sie das Reflow-Profil innerhalb der thermischen Grenzen des SMB-Kunststoffgehäuses, um Beschädigungen zu vermeiden.
7. Hinweis zur bidirektionalen VerwendungObwohl die bidirektionale CA-Version eine Verpolung toleriert, unterscheidet sich ihre Vorwärtsspannungscharakteristik in umgekehrter Durchbruchrichtung von der unidirektionaler Einheiten; wählen Sie entsprechend für Wechselstrom- oder bidirektionale Impulsszenarien.

5. Produktübersicht

Die SMBJ7.0CA ist eine bidirektionale 7.0-V-SMB-TVS-Diode der 600-W-Klasse mit oberflächenmontierbarem Chip, glaspassiviertem Chip, schneller Ansprechzeit, niedriger Klemmspannung (12.0 V bei 50 A) und einem flammhemmenden Gehäuse gemäß UL94V-0. Sie dient dem Schutz vor transienten Überspannungen und elektrostatischer Entladung (ESD) an Niederspannungs-Stromschienen und I/O-Schnittstellen. Bei der Entwicklung sollte der Fokus auf der Anpassung von V_RWM an die Netzbetriebsspannung, der Abstimmung der Klemmspannung auf die Spannungsfestigkeit nachgeschalteter Geräte und der Reduzierung der Leistungsaufnahme bei erhöhten Temperaturen und größeren Impulsbreiten liegen, um einen zuverlässigen Schutz unter Überspannungsbedingungen zu gewährleisten.

Über Slkor:

Slkor hat Forschungs- und Entwicklungsbüros in Busan, Südkorea, Peking, China und Suzhou, China. Die Herstellung, Verpackung und Prüfung der Wafer erfolgt größtenteils in China. Das Unternehmen beschäftigt und arbeitet mit Einzelpersonen und Organisationen weltweit zusammen. Es verfügt über ein Labor für Produktleistungs- und Zuverlässigkeitstests sowie ein zentrales Lager an seinem Hauptsitz in Shenzhen. Slkor hat über hundert Erfindungspatente angemeldet, bietet mehr als 2,000 Produktmodelle an und bedient über zehntausend Kunden weltweit. Seine Produkte werden in Länder und Regionen wie Europa, Amerika, Südostasien und den Nahen Osten exportiert, was es zu einem der am schnellsten wachsenden Halbleiterunternehmen der letzten Jahre macht. Mit gut etablierten Managementsystemen und rationalisierten Arbeitsabläufen hat Slkor die Markenbekanntheit und den Ruf seiner "SLKOR" durch herausragende Qualität und standardisierte Dienstleistungen. Die Produktpalette umfasst drei Hauptserien: Diodes, Transistoren und Leistungsbauelemente, mit der kürzlichen Einführung neuer Produkte wie Hall-Elemente und analoge Geräte, wodurch die Präsenz im Bereich Sensoren, Risc-v-Mikrocontroller und anderen Produktkategorien erweitert wird.