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SMBJ36A Transientenspannungs-Unterdrückungsdiode DO-214AA
SMBJ36A Transientenspannungs-Unterdrückungsdiode DO-214AA
I. Produktübersicht
Die SMBJ36A ist eine unidirektionale TVS-Diode (Transient Voltage Suppression) im SMB-Gehäuse (DO-214AA) zur Oberflächenmontage. Sie dient dem Schutz von 36-V-Gleichstromsystemen vor transienten Überspannungen. Dank ihrer glaspassivierten Chipkonstruktion mit exzellenter Klemmfähigkeit und schneller Ansprechzeit kann sie hochenergetische transiente Impulse wie ESD, EFT und induzierte Überspannungen rasch ableiten und 36-V-Schaltungen in Industrie-, Automobil- und Stromversorgungsgeräten vor Schäden durch transiente Hochspannungseinschläge schützen.
II. Produkteigenschaften
Gehäuse: SMB (DO-214AA), spritzgegossenes Epoxid-Oberflächenmontagegehäuse Polarität: Unidirektional (Kathode durch Band gekennzeichnet) VRWM (Sperrspannung): 36.0 V VBR (Durchbruchspannung): 40.0 V (min.) ~ 44.2 V (max.) Prüfstrom (IT): 1.0 mA VC (Maximale Klemmspannung): 58.1 V IPP (Spitzenimpulsstrom): 10.3 A IR (Sperrleckstrom): 5 μA Spitzenimpuls-Verlustleistung: 600 W (10/1000 μs Impulsform) Spitzenstoßstrom: 100 A (8.3 ms Halbsinuswelle, JEDEC-Methode) Anschlüsse: Lötplattiert, lötbar gemäß MIL-STD-750, Methode 2026 Flammschutzklasse: UL 94V-0 Betriebs- und Lagertemperatur: -55 °C ~ +150 °C Hinweis: Die Nennleistung wird auf einer 5.0 mm² großen Kupferfläche gemessen. Die Impulse sind nicht wiederkehrend. Bei Umgebungstemperaturen über 25 °C ist eine Leistungsreduzierung erforderlich. VBR wird nach Anlegen eines Eingangsspannungsimpulses (IT) von 300 µs gemessen.
III. Produktvorteile
Impulsenergieverlust: 600 W Spitzenimpulsleistung zum Schutz vor kurzzeitigen Hochspannungsspitzen durch ESD und induzierte Überspannungen. Hervorragende Dämpfung: Der glaspassivierte Chip reduziert kurzzeitige Hochspannungen schnell auf ein sicheres Spannungsniveau. Schnelle Reaktion: Die schnelle Reaktion sorgt für eine hervorragende Unterdrückung von schnellen transienten Störungen. Stoßspannungsfestigkeit: Hält kurzzeitigen Stoßströmen von 100 A stand und bietet eine hohe Impulsstörfestigkeit. Extrem niedriger Leckstrom: Nur 5 μA, geringer statischer Stromverbrauch und minimale Beeinträchtigung des Systems. Hohe Zuverlässigkeit: Der glaspassivierte Chip ist hochtemperaturbeständig und alterungsbeständig für einen stabilen Langzeitbetrieb. SMT-Kompatibilität: Das SMB-Oberflächenmontagegehäuse unterstützt die automatische SMT-Bestückung und eignet sich für kompakte Leiterplattenlayouts.
IV. Anwendungsgebiete
Industriesteuerung: Schutz für 36-V-Industriesteuergeräte, SPS, Sensoren und Signalanschlüsse. Fahrzeugelektronik: Anschlussschutz für 36-V-Fahrzeugbordnetze und Baumaschinensteuergeräte. Energiemanagement: Ein- und Ausgangsschutz für Industrieadapter und DC/DC-Wandler. Kommunikationsgeräte: Schutz von Strom- und Signalanschlüssen für Industrieschalter und Netzwerkgeräte. Messgeräte: Schutz vor transienten Überspannungen für interne Schaltungen von Messgeräten.
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
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Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
5.0 SMDJ18A TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 18V VBR min(V)： 20V VBR max(V)： 22.1V IR(uA)： 1μA VC(V)： 29.2V Package： SMC
5.0 SMDJ28A TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 28V VBR min(V)： 31.1V VBR max(V)： 34.4V IR(uA)： 1μA VC(V)： 45.4V Package： SMC
5.0 SMDJ30CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 30V VBR min(V)： 33.3V VBR max(V)： 36.8V IR(uA)： 1μA VC(V)： 48.4V Package： SMC
5.0 SMDJ33A TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 33V VBR min(V)： 36.7V VBR max(V)： 40.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 53.3V Package： SMC
5.0 SMDJ33CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 33V VBR min(V)： 36.7V VBR max(V)： 40.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 53.3V Package： SMC
5.0 SMDJ36CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 36V VBR min(V)： 40V VBR max(V)： 44.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 58.1V Package： SMC
5.0 SMDJ43CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 43.0 V VBR min(V)： 47.80 V VBR max(V)： 52.80 V IR(uA)： 1μA VC(V)： 69.4 V Package： SMC
5.0 SMDJ58A TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 58V VBR min(V)： 64.4V VBR max(V)： 71.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 93.6V Package： SMC
5.0 SMDJ58CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 58V VBR min(V)： 64.4V VBR max(V)： 71.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 93.6V Package： SMC
5.0 SMDJ64CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 64V VBR min(V)： 71.1V VBR max(V)： 78.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 103.0 V Package： SMC
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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