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Produkte
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I. Produktübersicht
Die SMAJ10CA ist eine bidirektionale Überspannungsschutzdiode (TVS-Diode) im SMA-Gehäuse (DO-214AC) für die Oberflächenmontage, speziell entwickelt für den Schutz von 10-V-Gleichstromsystemen. Dank ihres glaspassivierten Chips und ihrer induktivitätsarmen Struktur kann sie transiente Hochspannungsenergien wie ESD- und Stoßimpulse schnell ableiten und bietet Überspannungsschutz für 10-V-Schaltungen in Kommunikations-, Unterhaltungselektronik- und Industrieanlagen, um Geräte vor Schäden durch transiente Spannungsspitzen zu schützen.
II. Produkteigenschaften
Gehäuse: SMA (DO-214AC), SMD-Bauform Polarität: Bidirektional VRWM (Sperrspannung): 10.0 V VBR (Durchbruchspannung): 11.1 V (min.) ~ 12.3 V (max.) Prüfstrom (IT): 1.0 mA VC (Maximale Klemmspannung): 17.0 V IR (Sperrleckstrom): 1.0 μA Spitzenimpulsleistung: 400 W (10/1000 μs) Ansprechzeit: < 1.0 ps Niedrige Induktivität, hervorragende Klemmleistung und hohe Impulsfestigkeit Flammschutzklasse: UL 94V-0, RoHS-konform Betriebstemperatur: -55 °C ~ +125 °C
III. Produktvorteile
Impulsverlustleistung: 400 W Spitzenimpulsleistung zur Absorption transienter Energie durch ESD und induzierte Überspannungen. Ultraschnelle Reaktionszeit: Subpikosekundenbereich zur sofortigen Unterdrückung von Spannungsspitzen. Extrem niedriger Leckstrom: nur 1 μA, geringer statischer Stromverbrauch mit minimalen Auswirkungen auf die Originalschaltung. Induktivitätsarmes Design: Geringe parasitäre Induktivität des SMA-Gehäuses, geeignet für den Schutz von Hochfrequenzanschlüssen. Hohe Zuverlässigkeit: Glaspassivierter Chipprozess mit Anti-Aging-Eigenschaften und guter Langzeitstabilität. SMT-Kompatibilität: Unterstützt die automatisierte SMT-Bestückung, einfache Montage und geeignet für kompakte Leiterplattenlayouts.
IV. Anwendungsgebiete
Industriesteuerung: Schutz für 10-V-Industriesteuerungsmodule, Sensoren und Signalanschlüsse. Unterhaltungselektronik: Schutz für tragbare Geräte und Mainboard-I/O-Schnittstellen. Energiemanagement: Ausgangsschutz für kleine Netzteile und DC/DC-Wandler. Kommunikationsgeräte: Schutz für Signal- und Stromanschlüsse von Netzwerkgeräten. Messgeräte: Schutz vor transienten Überspannungen für interne Schaltungen von Messgeräten.
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
Unterstützung
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Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
5.0 SMDJ18A TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 18V VBR min(V)： 20V VBR max(V)： 22.1V IR(uA)： 1μA VC(V)： 29.2V Package： SMC
5.0 SMDJ28A TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 28V VBR min(V)： 31.1V VBR max(V)： 34.4V IR(uA)： 1μA VC(V)： 45.4V Package： SMC
5.0 SMDJ30CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 30V VBR min(V)： 33.3V VBR max(V)： 36.8V IR(uA)： 1μA VC(V)： 48.4V Package： SMC
5.0 SMDJ33A TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 33V VBR min(V)： 36.7V VBR max(V)： 40.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 53.3V Package： SMC
5.0 SMDJ33CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 33V VBR min(V)： 36.7V VBR max(V)： 40.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 53.3V Package： SMC
5.0 SMDJ36CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 36V VBR min(V)： 40V VBR max(V)： 44.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 58.1V Package： SMC
5.0 SMDJ43CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 43.0 V VBR min(V)： 47.80 V VBR max(V)： 52.80 V IR(uA)： 1μA VC(V)： 69.4 V Package： SMC
5.0 SMDJ58A TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 58V VBR min(V)： 64.4V VBR max(V)： 71.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 93.6V Package： SMC
5.0 SMDJ58CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 58V VBR min(V)： 64.4V VBR max(V)： 71.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 93.6V Package： SMC
5.0 SMDJ64CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 64V VBR min(V)： 71.1V VBR max(V)： 78.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 103.0 V Package： SMC
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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