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SLESD5311N-2TR Bidirektionale TVS-Dioden DFN1006
Unsere Diode bietet eine präzise Spannungsregelung mit einem maximalen VRWM von 5 V und gewährleistet so eine zuverlässige Leistung Ihrer Schaltungen. Mit einem Durchbruchspannungsbereich (VBR) von 6 V bis 9 V gewährleistet sie einen stabilen Betrieb unter verschiedenen Bedingungen. Der niedrige Sperrstrom (IR) der Diode von nur 1 μA verbessert die Schaltungseffizienz und minimiert Leistungsverluste. Im kompakten DFN1006-Gehäuse eignet sie sich ideal für Anwendungen mit begrenztem Platzangebot.
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse haben jahrelange Iterationen durchlaufen, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien geführt hat. Viele internationale Unternehmen entscheiden sich für das Outsourcing der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte die Produkte großer internationaler Marken in 99 % der Anwendungen vollständig ersetzen, ohne dass eine Prüfung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonsistenz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Versorgung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Beschreibung
Unsere Diode bietet präzise Spannungsregelung mit einer maximalen Durchlassspannung (V<sub> RWM</sub> ) von 5 V und gewährleistet so einen zuverlässigen Betrieb Ihrer Schaltungen. Mit einer Durchbruchspannung (V<sub> BR </sub>) von 6 V bis 9 V arbeitet sie unter verschiedensten Bedingungen stabil. Der geringe Sperrstrom (I<sub> R</sub> ) von nur 1 µA verbessert die Schaltungseffizienz und minimiert Leistungsverluste. Dank des kompakten DFN1006-Gehäuses eignet sie sich ideal für Anwendungen mit begrenztem Platzangebot.
Eigenschaften
● Glaspassivierte Matrizenkonstruktion
● Uni- und bidirektionale Versionen verfügbar
● Ausgezeichnete Spannfähigkeit
● Schnelle Reaktionszeit
● Kunststoffmaterial: UL-Brennbarkeit
Anwendungen
Ideal zum Schutz empfindlicher Elektronik in Automobilen, Unterhaltungselektronik und Industrieanwendungen. Das SMA-Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und Integration und eignet sich daher für Schaltungsdesigns mit hoher Dichte, die eine robuste Unterdrückung transienter Spannungen erfordern.
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
5.0 SMDJ18A TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 18V VBR min(V)： 20V VBR max(V)： 22.1V IR(uA)： 1μA VC(V)： 29.2V Package： SMC
5.0 SMDJ28A TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 28V VBR min(V)： 31.1V VBR max(V)： 34.4V IR(uA)： 1μA VC(V)： 45.4V Package： SMC
5.0 SMDJ30CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 30V VBR min(V)： 33.3V VBR max(V)： 36.8V IR(uA)： 1μA VC(V)： 48.4V Package： SMC
5.0 SMDJ33A TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 33V VBR min(V)： 36.7V VBR max(V)： 40.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 53.3V Package： SMC
5.0 SMDJ33CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 33V VBR min(V)： 36.7V VBR max(V)： 40.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 53.3V Package： SMC
5.0 SMDJ36CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 36V VBR min(V)： 40V VBR max(V)： 44.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 58.1V Package： SMC
5.0 SMDJ43CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 43.0 V VBR min(V)： 47.80 V VBR max(V)： 52.80 V IR(uA)： 1μA VC(V)： 69.4 V Package： SMC
5.0 SMDJ58A TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 58V VBR min(V)： 64.4V VBR max(V)： 71.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 93.6V Package： SMC
5.0 SMDJ58CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 58V VBR min(V)： 64.4V VBR max(V)： 71.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 93.6V Package： SMC
5.0 SMDJ64CA TVS-Diode SMC
Marke: slkor， VRWM(V)： 64V VBR min(V)： 71.1V VBR max(V)： 78.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 103.0 V Package： SMC
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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