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SLESD5311N-2TR Diodos TVS bidirecionais DFN1006
Nosso diodo oferece controle preciso de tensão com VRWM máximo de 5 V, garantindo um desempenho confiável em seus circuitos. Com uma faixa de tensão de ruptura (VBR) de 6 V a 9 V, ele proporciona operação estável em diversas condições. A baixa corrente de fuga reversa (IR) do diodo, de apenas 1 μA, aumenta a eficiência do circuito e minimiza as perdas de potência. Encapsulado em um encapsulamento compacto DFN1006, é ideal para aplicações com espaço limitado.
Nossas vantagens
Os processos de fabricação chineses passaram por anos de iteração, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas empresas internacionais optam pela terceirização da produção na China. Como fabricante de componentes eletrônicos na China, nossos produtos podem substituir totalmente os das principais marcas internacionais em 99% das aplicações, sem a necessidade de verificação de testes. Nossos produtos apresentam alta consistência em qualidade, preços razoáveis, amplo estoque, fornecimento flexível, prazos de entrega curtos e serviço pós-venda profissional.
Descrição
Nosso diodo oferece controle preciso de tensão com um VRWM máximo de 5V, garantindo desempenho confiável em seus circuitos. Com uma faixa de tensão de ruptura (VBR) de 6V a 9V, ele proporciona operação estável em diversas condições. A baixa corrente de fuga reversa (IRR) do diodo, de apenas 1μA, aumenta a eficiência do circuito e minimiza a perda de energia. Alojado em um encapsulamento compacto DFN1006, é ideal para aplicações com restrições de espaço.
Diferenciais
● Construção de matriz passivada em vidro
● Versões unidirecionais e bidirecionais disponíveis
● Excelente capacidade de fixação
● Tempo de resposta rápido
● Material plástico: Inflamabilidade UL
Aplicações
Ideal para proteger eletrônicos sensíveis em aplicações automotivas, de consumo e industriais. Seu pacote SMA permite fácil montagem e integração, tornando-o adequado para projetos de circuitos de alta densidade que exigem supressão robusta de tensão transiente.
Nome
Título
Descrição
Ficha de dados
Suporte
Suporte
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Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.
AZC199-04 Diodos TSD/ESD de capacitância ultrabaixa SOT-23-6L
Marcas: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V VBR max(V)： 1μA IR(uA)： 28V VC(V)： 0.8pF Package： SOT-23-6L
BTRD04A15 Diodo de supressão de tensão transitória DFN1006-2L
Marcas: slkor， VRWM(V)： 15V VBR min(V)： 16.7V IR(uA)： 0.2μA VC(V)： 20V Package： DFN1006-2L
Diodo TVS 5.0SMDJ18A SMC
Marcas: slkor， VRWM(V)： 18V VBR min(V)： 20V VBR max(V)： 22.1V IR(uA)： 1μA VC(V)： 29.2V Package： SMC
Diodo TVS 5.0SMDJ28A SMC
Marcas: slkor， VRWM(V)： 28V VBR min(V)： 31.1V VBR max(V)： 34.4V IR(uA)： 1μA VC(V)： 45.4V Package： SMC
Diodo TVS 5.0SMDJ33A SMC
Marcas: slkor， VRWM(V)： 33V VBR min(V)： 36.7V VBR max(V)： 40.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 53.3V Package： SMC
Diodo TVS 5.0SMDJ58A SMC
Marcas: slkor， VRWM(V)： 58V VBR min(V)： 64.4V VBR max(V)： 71.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 93.6V Package： SMC
Diodo TVS GBLC03C-SL SOD-323
Marcas: slkor， VRWM(V)： 3.3V VBR min(V)： 4.0 V VBR max(V)： 6.0 V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 18 V Package： SOD-323
Diodo TVS GBLC03C-SL SOD-323
Marcas: slkor， VRWM(V)： 3.3V VBR min(V)： 4.0 V VBR max(V)： 6.0 V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 6.3 V Package： SOD-323
Diodo TVS GBLC05C-SL SOD-323
Marcas: slkor， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 6V VBR max(V)： 8V IR(uA)： 100 nA VC(V)： 16.5 V Package： SOD-323
Diodo TVS GBLC12CB SOD-323
Marcas: slkor， VRWM(V)： 12V VBR min(V)： 13 V VBR max(V)： 17 V IR(uA)： 100 nA VC(V)： 17.5 V Package： SOD-323
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
As linhas de produtos da SLKOR incluem dispositivos discretos, como diodos, transistores e dispositivos de potência; e circuitos integrados, como reguladores lineares, conversores DC/DC, chips de interface, sensores Hall, conversores analógico-digitais (ADCs) e sistemas de gerenciamento de bateria (BMS). Possuímos anos de tecnologia acumulada em semicondutores dedicados.
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