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SL18N50F MOSFET de potencia de canal N TO-220F
● 100% probado contra avalanchas
● Cambio rápido
● Capacidad dv/dt mejorada
Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.
Descripción general del producto
El SL18N50F es un MOSFET de potencia de canal N en encapsulado TO-220F, con una tensión de drenaje-fuente de 500 V y una corriente de drenaje continua de 18.0 A. Este dispositivo, que ofrece baja carga de puerta y un rendimiento de conmutación rápida, ha superado pruebas de avalancha al 100 % y cuenta con una capacidad dv/dt mejorada. Es ideal para aplicaciones de electrónica de potencia de alta potencia, como fuentes de alimentación conmutadas de alta frecuencia y circuitos de corrección activa del factor de potencia.
Caracteristicas:
● 18.0 A, 500 V, RDS(activado)(típico) = 0.25 Ω a VGS = 10 V
● Baja carga de puerta
● Baja Crss
● 100% probado contra avalanchas
● Cambio rápido
● Capacidad dv/dt mejorada
● Aplicación:
● Fuente de alimentación conmutada de alta frecuencia
● Corrección activa del factor de potencia
Nombre
Título
Mareas Ideales para Lecciones
Hoja de Datos
Soporte
Soporte
Si necesita asistencia técnica o de diseño, háganoslo saber y complete el formulario de respuesta. Nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.
SL10N65F MOSFET de potencia de canal N TO-220F
Marcas: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 10A RDSON(Ω)： 940mΩ@10V,5A VTH： 4.5V@250A P/N： N-Channel
SL11N65CD MOSFET de potencia de canal N TO-252
Marcas: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 650V Id(A)： 11A RDSON(Ω)： 318mΩ@10V,4.0A VTH： 4.5V@0.8mA P/N： N-Channel
SL11N65CF1 MOSFET de potencia de canal N TO-220F
Marcas: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 11A RDSON(Ω)： 318mΩ@10V,4.0A VTH： 4.5V@250μA P/N： N-Channel
SL12N100 MOSFET de potencia de canal N TO-220
Marcas: slkor， Package： TO-220 VDSS(V)： 1000V Id(A)： 12A RDSON(Ω)： 1.0Ω@10V,6A VTH： 5.0V@250μA P/N： N-Channel
SL12N100T MOSFET de potencia de canal N TO-247
Marcas: slkor， Package： TO-247 VDSS(V)： 1000V Id(A)： 12A RDSON(Ω)： 1.0Ω@10V,6A VTH： 5.0V@250μA P/N： N-Channel
SL12P03S MOSFET de potencia de canal P SOP-8
Marcas: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： -30V Id(A)： -12A RDSON(Ω)： 24mΩ@-4.5V,-5A VTH： -1.6V@-250μA P/N： P-Channel
SL13N45F MOSFET de mejora de canal N TO-220F
Marcas: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 450V Id(A)： 13A RDSON(Ω)： 470mΩ@10V,5.5A VTH： 4V@250uA P/N： N-Channel
SL13N50FS MOSFET de mejora de canal N TO-220F
Marcas: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 500V Id(A)： 13A RDSON(Ω)： 520mΩ@10V,6.5A VTH： 4V@250μA P/N： N-Channel
SL15N60CF MOSFET de potencia de canal N TO-220F
Marcas: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 15A RDSON(Ω)： 238mΩ@10V,7.5A VTH： 4.5V@250μA P/N： N-Channel
SL15N65CD MOSFET de potencia de canal N TO-252
Marcas: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 650V Id(A)： 15A RDSON(Ω)： 238mΩ@10V,7.5A VTH： 4.5V@250μA P/N： N-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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