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SL18N50F N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220F
● 100% lawinengeprüft
● Schnelles Umschalten
● Verbesserte dv/dt-Fähigkeit
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse haben jahrelange Iterationen durchlaufen, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien geführt hat. Viele internationale Unternehmen entscheiden sich für das Outsourcing der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte die Produkte großer internationaler Marken in 99 % der Anwendungen vollständig ersetzen, ohne dass eine Prüfung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonsistenz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Versorgung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Produktübersicht
Der SL18N50F ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-220F-Gehäuse mit einer Drain-Source-Spannung von 500 V und einem Dauerstrom von 18.0 A. Er zeichnet sich durch geringe Gate-Ladung und schnelles Schaltverhalten aus und ist zu 100 % lawinensicher. Zudem verfügt er über eine verbesserte dv/dt-Festigkeit. Er eignet sich ideal für Hochleistungsanwendungen in der Leistungselektronik, wie z. B. Hochfrequenz-Schaltnetzteile und Schaltungen zur aktiven Leistungsfaktorkorrektur.
Eigenschaften:
● 18.0 A, 500 V, RDS(on)(typ.) = 0.25 Ω bei VGS = 10 V
● Niedrige Gate-Ladung
● Niedrige Kreuze
● 100% lawinengeprüft
● Schnelles Umschalten
● Verbesserte dv/dt-Fähigkeit
● Anwendung:
● Hochfrequenz-Schaltnetzteil
● Aktive Leistungsfaktorkorrektur
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
SL10N65F N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220F
Marke: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 10A RDSON(Ω)： 940mΩ@10V,5A VTH： 4.5V@250A P/N： N-Channel
SL11N65CD N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-252
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 650V Id(A)： 11A RDSON(Ω)： 318mΩ@10V,4.0A VTH： 4.5V@0.8mA P/N： N-Channel
SL11N65CF1 N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220F
Marke: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 11A RDSON(Ω)： 318mΩ@10V,4.0A VTH： 4.5V@250μA P/N： N-Channel
SL12N100 N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220
Marke: slkor， Package： TO-220 VDSS(V)： 1000V Id(A)： 12A RDSON(Ω)： 1.0Ω@10V,6A VTH： 5.0V@250μA P/N： N-Channel
SL12N100T N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-247
Marke: slkor， Package： TO-247 VDSS(V)： 1000V Id(A)： 12A RDSON(Ω)： 1.0Ω@10V,6A VTH： 5.0V@250μA P/N： N-Channel
SL12P03S P-Kanal-Leistungs-MOSFET SOP-8
Marke: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： -30V Id(A)： -12A RDSON(Ω)： 24mΩ@-4.5V,-5A VTH： -1.6V@-250μA P/N： P-Channel
SL13N45F N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET TO-220F
Marke: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 450V Id(A)： 13A RDSON(Ω)： 470mΩ@10V,5.5A VTH： 4V@250uA P/N： N-Channel
SL13N50FS N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET TO-220F
Marke: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 500V Id(A)： 13A RDSON(Ω)： 520mΩ@10V,6.5A VTH： 4V@250μA P/N： N-Channel
SL15N60CF N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220F
Marke: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 15A RDSON(Ω)： 238mΩ@10V,7.5A VTH： 4.5V@250μA P/N： N-Channel
SL15N65CD N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-252
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 650V Id(A)： 15A RDSON(Ω)： 238mΩ@10V,7.5A VTH： 4.5V@250μA P/N： N-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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