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MOSFET de puissance à canal N SL18N50F TO-220F
● Testé à 100 % contre les avalanches
● Commutation rapide
● Capacité dv/dt améliorée
Nos avantages
Les processus de fabrication chinois ont subi des années d’itération, aboutissant à des technologies matures et fiables. De nombreuses entreprises internationales optent pour l’externalisation de leur production en Chine. En tant que fabricant de composants électroniques en Chine, nos produits peuvent remplacer entièrement ceux des grandes marques internationales dans 99 % des applications sans avoir besoin de tests de vérification. Nos produits offrent une qualité élevée, des prix raisonnables, un inventaire important, un approvisionnement flexible, des délais de livraison courts et un service après-vente professionnel.
Présentation du produit
Le SL18N50F est un MOSFET de puissance à canal N en boîtier TO-220F, avec une tension drain-source de 500 V et un courant de drain continu de 18.0 A. Caractérisé par une faible charge de grille et une commutation rapide, ce composant a subi un test d'avalanche à 100 % et présente une capacité dv/dt améliorée. Il est parfaitement adapté aux applications électroniques de puissance, telles que les alimentations à découpage haute fréquence et les circuits de correction active du facteur de puissance.
Caractéristiques:
● 18.0 A, 500 V, RDS(on) (typ.) = 0.25 Ω à VGS = 10 V
● Faibles frais d'entrée
● Faible niveau scolaire
● Testé à 100 % contre les avalanches
● Commutation rapide
● Capacité dv/dt améliorée
● Candidature :
● Alimentation à découpage haute fréquence
● Correction active du facteur de puissance
Nom
Objet
Description
Fiche technique
Assistance
Assistance
Si vous avez besoin d'assistance technique ou en matière de conception, veuillez nous le faire savoir et remplir le formulaire de réponse. Nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.
MOSFET d'amélioration de canal N SL13N45F TO-220F
Marque: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 450V Id(A)： 13A RDSON(Ω)： 470mΩ@10V,5.5A VTH： 4V@250uA P/N： N-Channel
MOSFET d'amélioration de canal N SL13N50FS TO-220F
Marque: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 500V Id(A)： 13A RDSON(Ω)： 520mΩ@10V,6.5A VTH： 4V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET d'amélioration de canal N SL8N65F TO-220F
Marque: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 8A RDSON(Ω)： 1.1Ω@10V,3.5A VTH： 2V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET de puissance canal N SL11N65CD TO-252
Marque: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 650V Id(A)： 11A RDSON(Ω)： 318mΩ@10V,4.0A VTH： 4.5V@0.8mA P/N： N-Channel
MOSFET de puissance canal N SL11N65CF1 TO-220F
Marque: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 11A RDSON(Ω)： 318mΩ@10V,4.0A VTH： 4.5V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET de puissance canal N SL12N100 TO-220
Marque: slkor， Package： TO-220 VDSS(V)： 1000V Id(A)： 12A RDSON(Ω)： 1.0Ω@10V,6A VTH： 5.0V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET de puissance canal N SL12N100T TO-247
Marque: slkor， Package： TO-247 VDSS(V)： 1000V Id(A)： 12A RDSON(Ω)： 1.0Ω@10V,6A VTH： 5.0V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET de puissance canal N SL15N60CF TO-220F
Marque: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 15A RDSON(Ω)： 238mΩ@10V,7.5A VTH： 4.5V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET de puissance canal N SL15N65CD TO-252
Marque: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 650V Id(A)： 15A RDSON(Ω)： 238mΩ@10V,7.5A VTH： 4.5V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET de puissance canal N SL18N20 TO-220-3L
Marque: slkor， Package： TO-220-3L VDSS(V)： 200V Id(A)： 18A RDSON(Ω)： 120mΩ@10V,9A VTH： 3.0V@250μA P/N： N-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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