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Transistor bipolar PNP MMBT2907AT SOT-523

El MMBT2907AT es un transistor de silicio PNP de propósito general alojado en un encapsulado miniatura SOT-523 de montaje superficial. Ofrece alta tensión, corriente de conducción media, baja tensión de saturación y alta velocidad de conmutación. Está diseñado para la amplificación, conmutación y control de señales de propósito general en equipos electrónicos compactos, y es totalmente complementario al MMBT2222AT.

Nuestras ventajas


  • Encapsulado SOT-523 ultracompacto, ideal para PCB de alta densidad y productos miniaturizados.
  • Par complementario con MMBT2222AT para un diseño de circuito push-pull flexible.
  • Alta tensión nominal de -60 V para un funcionamiento fiable en diversos circuitos.
  • Amplia y estable ganancia de corriente continua para un rendimiento de amplificación constante.
  • Velocidad de conmutación rápida con retardo corto, tiempo de subida, almacenamiento y bajada.
  • Baja corriente de fuga para una alta eficiencia y un bajo consumo de energía.
  • Amplio rango de temperatura de funcionamiento para aplicaciones industriales y de consumo.
  • El embalaje en cinta y carrete permite una producción SMT totalmente automatizada.

Mareas Ideales para Lecciones


El MMBT2907AT es un transistor de silicio PNP de propósito general alojado en un encapsulado miniatura SOT-523 de montaje superficial. Ofrece alta tensión, corriente de conducción media, baja tensión de saturación y alta velocidad de conmutación. Está diseñado para la amplificación, conmutación y control de señales de propósito general en equipos electrónicos compactos, y es totalmente complementario al MMBT2222AT.

CARACTERÍSTICAS


  • Transistor PNP de propósito general
  • Paquete de montaje superficial SOT-523 en miniatura
  • Complementario a MMBT2222AT
  • Alto voltaje: VCBO = -60V, VCEO = -60V, VEBO = -5V
  • Corriente continua del colector: IC = -600 mA
  • Disipación de potencia: PC = 150 mW
  • Ganancia de corriente continua: hFE = 50–300
  • Frecuencia de transición: fT = 200 MHz (típica)
  • Bajo voltaje de saturación y características de conmutación rápidas
  • Temperatura de unión/almacenamiento: -55℃ a +150℃
  • Baja corriente de fuga: ICBO, IEBO ≤ 100 nA

Aplicaciones


  • Amplificación de señal de uso general
  • Circuitos de conmutación de alta velocidad
  • Electrónica de consumo portátil
  • Módulos controladores e indicadores LED
  • Circuitos de control de sensores e interfaces
  • Sistemas de control industrial.
  • Equipo alimentado por batería
  • Diseños de circuitos SMT de alta densidad
Nombre
Título
Descripción
MMBT2907AT SOT-523​.pdf
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