Nuestras ventajas
- Suministro directo de fábrica con consistencia estable en los lotes y precio competitivo.
- Control de calidad estricto y rendimiento eléctrico fiable en un amplio rango de temperaturas.
- Encapsulado SOT-23 compacto para montaje SMT de alta densidad
- Amplia selección de grados hFE para el diseño de circuitos flexibles
- Cumple con la normativa RoHS, apto para aplicaciones industriales y de consumo masivo.
Mareas Ideales para Lecciones
El SS30101-Q es un transistor bipolar de unión (BJT) de silicio epitaxial NPN en un encapsulado SOT-23 de montaje superficial. Ofrece alta capacidad de corriente, bajo voltaje de saturación y una amplia área de operación segura, optimizada para circuitos de conmutación y amplificación de potencia media. Con una corriente de colector continua de hasta 2 A y un VCEO de 40 V, proporciona un rendimiento estable en un rango de temperatura de -55 °C a +150 °C. Marcado: KEY. Asignación de pines: 1-Base, 2-Emisor, 3-Colector.
CARACTERÍSTICAS
- Transistor NPN de silicio, par complementario disponible
- encapsulado de montaje superficial SOT-23
- Alta ganancia de corriente continua: hFE = 120–350 (P/Q graduada)
- Alta frecuencia de transición: fT = 100 MHz típico
- Valores bajos de VCE(sat) y VBE(sat) para una alta eficiencia.
- VCBO = 50V, VCEO = 40V, VEBO = 6V
- Corriente continua IC = 2A, PC = 300mW
- Temperatura de almacenamiento: -55 °C a +150 °C
Aplicaciones
- Convertidores CC-CC y gestión de energía
- Dispositivos electrónicos portátiles y dispositivos alimentados por batería
- Audio de consumo y amplificación de señal
- Controlador LED y control de motor de bajo voltaje
- Circuitos de control industrial y automotrices
- Módulos de conmutación de alta velocidad