Nuestras ventajas
- Transistor NPN doble en un encapsulado compacto, lo que ahorra espacio en la placa de circuito impreso y costes de lista de materiales.
- Encapsulado SOT-363 de montaje superficial ultracompacto para diseño de circuitos de alta densidad.
- Proceso epitaxial planar para un rendimiento eléctrico estable y consistente.
- Amplio rango de ganancia de corriente continua para una conmutación y amplificación flexibles.
- Alta frecuencia de transición de hasta 250 MHz para aplicaciones de señales de alta velocidad.
- Amplio rango de temperatura de funcionamiento para electrónica industrial y de consumo.
- Embalaje en cinta y carrete compatible con RoHS para montaje SMT automático
Mareas Ideales para Lecciones
MMDT4401 es un transistor NPN dual de pequeña señal de montaje superficial Encapsulado en SOT-363, con construcción de chip planar epitaxial. Está diseñado para la amplificación de señales de baja potencia y la conmutación de alta velocidad en equipos electrónicos compactos. Con una corriente de colector máxima de 600 mA, un VCEO de 40 V y una alta frecuencia de transición (fT) de hasta 250 MHz, ofrece un rendimiento fiable en aplicaciones con espacio limitado.
CARACTERÍSTICAS
- Transistor NPN dual de pequeña señal
- Construcción de matriz plana epitaxial
- Encapsulado de montaje superficial SOT-363 ultracompacto
- Alta frecuencia de transición: fT = 250 MHz (típica)
- Baja disipación de potencia: PD = 200 mW
- VCBO = 60V, VCEO = 40V, VEBO = 6V
- Corriente continua del colector: IC = 600 mA
- Amplio rango de temperatura: de -55 ℃ a +150 ℃
- Ideal para amplificación y conmutación de baja potencia.
Aplicaciones
- Electrónica de consumo portátil
- Dispositivos de comunicación móviles
- Circuitos de amplificación y conmutación de señales
- Módulos PCB de alta densidad
- Circuitos controladores e indicadores LED
- Interfaces de control y sensores industriales
- Equipo alimentado por batería