Nuestras ventajas
- Frecuencia ultra alta de hasta 9 GHz para aplicaciones de RF de banda ancha.
- Factor de ruido extremadamente bajo para una recepción de alta sensibilidad.
- Alta ganancia de potencia y amplio rango dinámico.
- Encapsulado estándar SOT-23 para facilitar el montaje en masa.
- Baja capacitancia y baja fuga para un excelente rendimiento de RF.
- Linealidad estable y alta fiabilidad
- Amplio rango de temperatura para equipos de comunicación
Mareas Ideales para Lecciones
El BFR540 es un transistor de microondas epitaxial de silicio NPN de bajo ruido en encapsulado SOT-23 para montaje en superficie. Ofrece alta ganancia, amplio ancho de banda y bajo ruido, y está especialmente diseñado para sistemas de amplificación de alta frecuencia y bajo ruido en UHF, VHF, CATV y radares.
CARACTERÍSTICAS
- transistor epitaxial de silicio de bajo ruido para microondas NPN
- encapsulado de montaje superficial SOT-23
- Frecuencia de transición: fT = 9 GHz (típ.)
- Figura de ruido baja: NF = 1.3–2.4 dB
- Alta ganancia de potencia: |S21| hasta 13 dB
- Ganancia de corriente continua: hFE = 60–250
- VCBO = 20V, VCEO = 12V, VEBO = 2.5V
- Corriente continua del colector: IC = 120 mA
- Disipación de potencia: PT = 500 mW
- Temperatura de unión/almacenamiento: −65℃ a +150℃
- Marcado: 33W
Aplicaciones
- Amplificadores de bajo ruido VHF/UHF
- Sintonizadores de televisión por cable y satélite
- Detectores de radar y alarmas inalámbricas
- Módulos de comunicación RF
- Repetidores de transmisión de fibra óptica
- Amplificadores de señal de banda ancha de alta frecuencia
- Equipos inalámbricos portátiles