تازه‌های صنعت نیمه‌هادی جهانی

۱. شرکت SK hynix توسعه محصول فلش QLC NAND دو ترابایتی ۳۲۱ لایه خود را به پایان رسانده و رسماً تولید انبوه آن را آغاز کرده است.

۲. دانشگاه ایمک بلژیک و دانشگاه گنت از رشد موفقیت‌آمیز اپیتاکسیال یک ساختار ۱۲۰ لایه‌ای Si/SiGe روی یک ویفر سیلیکونی ۳۰۰ میلی‌متری خبر دادند که نشان‌دهنده یک پیشرفت بزرگ برای پیشرفت DRAM سه‌بعدی است.

۳. شرکت نیمه‌هادی کره‌ای ChipScale اخیراً اعلام کرد که اولین تولید انبوه نیمه‌هادی‌های قدرت GaN (گالیوم نیترید) 3 ولتی را در کره در سال ۲۰۲۳ آغاز کرده است.

۴. اپل برای اولین بار در سال جاری، به تولید بومی کل سری آیفون ۱۷ در هند دست یافته است و هر چهار مدل (از جمله نسخه‌های پرو) از خطوط تولید کارخانه‌های هندی خارج می‌شوند.

۵. سامسونگ الکترو-مکانیکس تأمین FC-BGA برای نیمه‌هادی A5 «Trainium» آمازون را آغاز کرده است و قصد دارد از سال آینده FC-BGA را برای اپل، گوگل و متا نیز تأمین کند.

۶. اینتل سرمایه‌گذاری ۸.۹ میلیارد دلاری را تضمین کرده است.

تازه‌های صنعت نیمه‌هادی چین

۱. شرکت SK hynix توسعه محصول فلش QLC NAND دو ترابایتی ۳۲۱ لایه خود را به پایان رسانده و رسماً تولید انبوه آن را آغاز کرده است.

۲. دانشگاه ایمک بلژیک و دانشگاه گنت از رشد موفقیت‌آمیز اپیتاکسیال یک ساختار ۱۲۰ لایه‌ای Si/SiGe روی یک ویفر سیلیکونی ۳۰۰ میلی‌متری خبر دادند که نشان‌دهنده یک پیشرفت بزرگ برای پیشرفت DRAM سه‌بعدی است.

۳. شرکت نیمه‌هادی کره‌ای ChipScale اخیراً اعلام کرد که اولین تولید انبوه نیمه‌هادی‌های قدرت GaN (گالیوم نیترید) 3 ولتی را در کره در سال ۲۰۲۳ آغاز کرده است.

۴. اپل برای اولین بار در سال جاری، به تولید بومی کل سری آیفون ۱۷ در هند دست یافته است و هر چهار مدل (از جمله نسخه‌های پرو) از خطوط تولید کارخانه‌های هندی خارج می‌شوند.

۵. سامسونگ الکترو-مکانیکس تأمین FC-BGA برای نیمه‌هادی A5 «Trainium» آمازون را آغاز کرده است و قصد دارد از سال آینده FC-BGA را برای اپل، گوگل و متا نیز تأمین کند.

۶. اینتل سرمایه‌گذاری ۸.۹ میلیارد دلاری را تضمین کرده است.