L'IGBT, également appelé transistor bipolaire isolé, est un composant semi-conducteur composé. Ce composant présente l'avantage d'une faible consommation et d'une très faible tension de saturation. Il est encore largement utilisé dans les systèmes de conversion. Par exemple, dans les systèmes de conversion fonctionnant avec une tension continue supérieure à 600 volts, l'alimentation à découpage offre d'excellentes performances, grâce à sa haute tension de tenue et à sa vitesse de commutation très rapide.

En tant que composant électronique de puissance, l'IGBT est principalement utilisé dans les circuits d'onduleurs, c'est-à-dire qu'il convertit le courant continu en courant alternatif. Il constitue donc un élément essentiel de l'onduleur. Par exemple, les véhicules à énergies nouvelles sont alimentés en courant continu. Pour convertir l'énergie de la batterie en courant alternatif, un onduleur est nécessaire. L'IGBT, composant central de l'onduleur, permet d'atteindre de faibles températures et de faibles pertes, et sa capacité à fournir un courant continu représente une avancée majeure, ce qui lui confère des performances accrues dans ce domaine.
Bien que l'IGBT soit largement utilisé dans les systèmes de conversion de puissance, il peut avoir un impact considérable sur la fiabilité de la consommation électrique du système. L'utilisation de ce type de circuit de commande permet donc d'obtenir de meilleurs résultats. Dans les applications de forte puissance, comme par exemple dans les rames automotrices électriques (EMU), où il joue un rôle crucial en tant que puce de contrôle de sortie, il peut gérer directement la conversion du courant continu en courant alternatif et influer fortement sur le couple du système d'entraînement.
Aujourd'hui, le développement des IGBT se traduit par une intégration continue au sein de leur structure et, en termes de procédés de fabrication, si l'encapsulation modulaire repose principalement sur le soudage standard, de nombreuses nouvelles technologies remplacent ce dernier par l'insertion par pression. Cette technologie continue d'évoluer, et la température et la puissance des puces augmentent également. Je suis convaincu que cette technologie modulaire trouvera de nombreuses applications à l'avenir et, en tant que composant semi-conducteur de puissance majeur, elle jouera un rôle clé dans des domaines tels que les réseaux électriques et les véhicules à énergies nouvelles.

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