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L'IGBT, noto anche come transistor bipolare isolato, è un dispositivo a semiconduttore composito. Il vantaggio di questo dispositivo a semiconduttore composito risiede nel basso consumo energetico e nella bassissima tensione di saturazione. È tuttora ampiamente utilizzato nei sistemi di conversione. Ad esempio, nei sistemi di conversione con una tensione continua superiore a 600 volt, l'alimentatore switching offre prestazioni eccellenti, con un'elevata tensione di tenuta e una velocità di commutazione molto elevata.
Sebbene gli IGBT siano ampiamente utilizzati nei sistemi di conversione ad alta potenza, possono avere un grande impatto sull'affidabilità del consumo energetico del sistema, quindi l'utilizzo di questo tipo di driver produrrà risultati migliori. Di fronte ad applicazioni ad alta potenza, si può notare che nei veicoli elettrici, come chip di controllo dell'uscita molto importante, può controllare direttamente la conversione da corrente continua a corrente alternata e può avere un grande impatto sulla coppia del sistema di azionamento.
Oggi, lo sviluppo di tali IGBT si manifesta nella continua integrazione strutturale e, in termini di tecnologia di processo, sebbene il metodo di confezionamento modulare si basi principalmente sulla saldatura standard, molte nuove tecnologie stanno sostituendo la saldatura adottando il processo di press-fit. Questa tecnologia continua a svilupparsi e anche la temperatura e la potenza del chip sono in aumento. Credo che questa tecnologia modulare troverà maggiori opportunità in futuro e, come dispositivo semiconduttore di potenza di riferimento, svolgerà un ruolo chiave in diversi settori, come le reti elettriche e i veicoli a energia alternativa.
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