El IGBT, también conocido como transistor bipolar aislado, es un dispositivo semiconductor compuesto. Su principal ventaja radica en su bajo consumo de energía y su muy baja tensión de saturación. Se sigue utilizando ampliamente en sistemas convertidores. Por ejemplo, en sistemas convertidores con una tensión continua superior a 600 voltios, ofrece un excelente rendimiento en la fuente de alimentación conmutada, gracias a su alta tensión de ruptura y su rápida velocidad de conmutación.

Como dispositivo electrónico de alta potencia, el IGBT se utiliza principalmente en circuitos inversores, es decir, convierte la corriente continua (CC) en corriente alterna (CA), por lo que también es una parte importante de un inversor. Por ejemplo, los vehículos de nueva energía se cargan con CC. Para convertir la energía de la batería en CA, se requiere un inversor. El IGBT es el componente principal del inversor y puede lograr bajas temperaturas y bajas pérdidas, además de una capacidad de salida continua, lo que le permitirá ofrecer mejores resultados en este sentido.
Si bien el IGBT se utiliza ampliamente en sistemas de alta potencia, puede afectar significativamente la fiabilidad del consumo energético del sistema, por lo que el uso de este tipo de controlador ofrece mejores resultados. En aplicaciones de alta potencia, se observa que en las unidades de tren eléctrico (EMU) de vehículos eléctricos, como chip de control de salida crucial, controla directamente la conversión de corriente continua (CC) a corriente alterna (CA), influyendo notablemente en el par motor del sistema de transmisión.
Actualmente, el desarrollo de los IGBT se caracteriza por una integración continua en su estructura y en la tecnología de procesamiento. Si bien el método de empaquetado modular se basa principalmente en la soldadura estándar, muchas tecnologías nuevas están reemplazando la soldadura y adoptando el proceso de ajuste a presión. Esta tecnología continúa desarrollándose, y la temperatura y la potencia del chip también aumentan. Creo que esta tecnología modular tendrá un futuro prometedor y, como dispositivo semiconductor de alta potencia de uso generalizado, desempeñará un papel fundamental en diversos campos, como las redes eléctricas y los vehículos de nueva energía.

Número de teléfono de la empresa: +86-0755-83044319
Fax/FAX: +86-0755-83975897
Correo electrónico: 1615456225@qq.com
Pregunta: 3518641314 Gerente Li

Pregunta: 332496225 Gerente Qiu

Dirección: Habitación 809, Edificio C, Edificio de Tecnología Zhantao, Avenida Minzhi n.° 1079, Nuevo Distrito de Longhua, Shenzhen