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Der IGBT (Insulated Bipolar Transistor) ist ein kombiniertes Halbleiterbauelement. Er zeichnet sich durch geringen Stromverbrauch und sehr niedrige Sättigungsspannung aus und findet daher breite Anwendung in Umrichtersystemen. Beispielsweise erzielt er in Systemen mit Gleichspannungen über 600 Volt hervorragende Ergebnisse und bietet eine hohe Spannungsfestigkeit sowie sehr schnelle Schaltzeiten.
Obwohl IGBTs in Hochleistungs-Schaltsystemen weit verbreitet sind, können sie die Zuverlässigkeit der Systemstromversorgung erheblich beeinträchtigen. Daher erzielt der Einsatz dieser Treiberart bessere Ergebnisse. Bei Hochleistungsanwendungen zeigt sich, dass IGBTs in Elektrofahrzeug-Elektroantrieben als wichtige Ausgangssteuerchips die Umwandlung von Gleich- in Wechselstrom direkt steuern und somit einen großen Einfluss auf das Drehmoment des Antriebssystems haben können.
Die Entwicklung solcher IGBTs zeigt sich heutzutage in der kontinuierlichen Integration der Struktur. Auch in Bezug auf die Verarbeitungstechnologie, die zwar hauptsächlich auf dem Standard-Schweißverfahren basiert, werden Schweißverfahren zunehmend durch Presspassung ersetzt. Diese Technologie entwickelt sich stetig weiter, und die Temperatur und Leistung der Chips steigen. Ich bin überzeugt, dass diese Modultechnologie zukünftig noch vielversprechendere Anwendungsgebiete haben wird und als wichtiges Hochleistungshalbleiterbauelement in zukunftsträchtigen Bereichen wie Stromnetzen und Elektrofahrzeugen eine Schlüsselrolle spielen wird.
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