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Transistor bipolaire PNP CZT5401, boîtier SOT-223
Le CZT5401 est un transistor silicium PNP haute tension en boîtier CMS SOT-223. Il se caractérise par une tension de claquage élevée, un courant de commande moyen et un gain stable, et est spécialement conçu pour les applications d'amplification haute tension, de commande de signaux et de commutation.
Nos avantages
- Tension nominale élevée jusqu'à 150 V pour un fonctionnement stable des circuits haute tension
- Boîtier SOT‑223 avec une bonne dissipation thermique pour une utilisation fiable de l'alimentation
- Gain en courant continu large et stable pour une amplification constante
- Faible tension de saturation et faible courant de fuite pour un rendement élevé
- Conforme à la directive RoHS, sans plomb et sans halogène
- Large plage de températures pour les applications industrielles et grand public
- Conditionnement en bande et bobine pour l'assemblage SMT automatisé
Description
Le CZT5401 est un transistor silicium PNP haute tension en boîtier CMS SOT-223. Il se caractérise par une tension de claquage élevée, un courant de commande moyen et un gain stable, et est spécialement conçu pour les applications d'amplification haute tension, de commande de signaux et de commutation.
Fonctionnalités
- transistor haute tension PNP
- Boîtier de montage en surface SOT-223
- Haute tension : VCBO = −160 V, VCEO = −150 V, VEBO = −5 V
- Gain en courant continu : hFE = 50–300
- Courant de collecteur continu : IC = −0.6A
- Dissipation de puissance : PC = 1 W
- Fréquence de transition : fT = 100–300 MHz
- Faible tension de saturation et faible courant de fuite
- Température de jonction/stockage : −55℃ à +150℃
- RoHS, sans plomb, sans halogène
Applications
- Amplification du signal haute tension
- Systèmes de contrôle industriels
- Régulation et contrôle de l'alimentation électrique
- Équipement audio et circuits de commande
- modules de commande d'éclairage
- Appareils électroniques grand public
- Commutation haute tension à usage général
Nom
Titre
Description
Fiche technique
Support
Transistor bipolaire PNP SS30101-Q, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolaire NPN 2SD2098-R, boîtier SOT-89
Marque: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolaire NPN MMDT4401, boîtier SOT-363
Marque: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolaire PNP 2SC4373-Y, boîtier SOT-89
Marque: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolaire NPN 2SC2757 T33, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
MMBT589 Transistor bipolaire PNP SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolaire PNP 2SC2881-Y, boîtier SOT-89
VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
MMDT5551 Transistor bipolaire NPN SOT-363
Marque: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolaire NPN M28S, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolaire NPN MMBT2222AT, boîtier SOT-523
Marque: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Les gammes de produits de SLKOR incluent des dispositifs discrets, etc., diodes, transistors, dispositifs de puissance ; et des puces de circuits intégrés, etc., régulateurs linéaires, puces DC/DC, puces d'interface, capteurs à effet Hall, CAN et BMS... Nous avons des années de technologie accumulée sur les semi-conducteurs dédiés.
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