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Transistor bipolar PNP CZT5401 SOT-223
El CZT5401 es un transistor de silicio PNP de alto voltaje en encapsulado de montaje superficial SOT-223. Presenta un alto voltaje de ruptura, una capacidad de corriente media y características de ganancia estables, y está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificación de alto voltaje, control de señales y conmutación.
Nuestras ventajas
- Alta tensión nominal de hasta 150 V para un funcionamiento estable del circuito de alta tensión.
- Encapsulado SOT-223 con buena disipación térmica para un uso de energía fiable.
- Amplia y estable ganancia de corriente continua para una amplificación consistente.
- Bajo voltaje de saturación y baja fuga para una alta eficiencia.
- Cumple con la normativa RoHS, no contiene plomo ni halógenos.
- Amplio rango de temperatura para aplicaciones industriales y de consumo.
- Embalaje en cinta y carrete para el montaje SMT automatizado
Mareas Ideales para Lecciones
El CZT5401 es un transistor de silicio PNP de alto voltaje en encapsulado de montaje superficial SOT-223. Presenta un alto voltaje de ruptura, una capacidad de corriente media y características de ganancia estables, y está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificación de alto voltaje, control de señales y conmutación.
CARACTERÍSTICAS
- Transistor PNP de alto voltaje
- encapsulado de montaje superficial SOT-223
- Alto voltaje: VCBO = −160V, VCEO = −150V, VEBO = −5V
- Ganancia de corriente continua: hFE = 50–300
- Corriente continua del colector: IC = −0.6 A
- Disipación de potencia: PC = 1 W
- Frecuencia de transición: fT = 100–300 MHz
- Bajo voltaje de saturación y baja corriente de fuga
- Temperatura de unión/almacenamiento: −55℃ a +150℃
- Cumple con la normativa RoHS, no contiene plomo ni halógenos.
Aplicaciones
- Amplificación de señal de alto voltaje
- Sistemas de control industrial.
- Regulación y control del suministro eléctrico
- Equipos de audio y circuitos de control
- Módulos controladores de iluminación
- Dispositivos electrónicos de consumo
- Conmutación de alto voltaje de uso general
Nombre
Título
Descripción
Ficha técnica
Soporte
Transistor bipolar PNP SS30101-Q SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolar NPN 2SD2098-R SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolar NPN MMDT4401 SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolar PNP 2SC4373-Y SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolar NPN 2SC2757 T33 SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolar SOT-589 MMBT23 PNP
Marca: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolar PNP 2SC2881-Y SOT-89
VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolar MMDT5551 NPN SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolar NPN M28S SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolar NPN MMBT2222AT SOT-523
Marca: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-223 IC(A)(IC(A))： 600mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Las líneas de productos de SLKOR incluyen dispositivos discretos, etc., diodos, transistores, dispositivos de potencia; y chips de circuitos integrados, etc., reguladores lineales, chips DC/DC, chips de interfaz, sensores Hall, ADC y BMS... Tenemos años de tecnología acumulada en semiconductores dedicados.
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粤公网安备44030002007346号