Nos avantages
- Réponse en fréquence ultra-élevée jusqu'à 7 GHz pour d'excellentes performances RF
- Facteur de bruit extrêmement faible (NF ≤ 2 dB), idéal pour les récepteurs sensibles.
- Deux transistors NPN en boîtier SOT-363 permettent de gagner de la place sur le circuit imprimé et de réduire les coûts.
- Gain de puissance élevé pour une amplification RF efficace
- Plusieurs classes hFE pour une adaptation précise du circuit
- Conforme aux normes RoHS, sans halogène et sans plomb
- Large plage de températures pour les applications industrielles et de communication
Description
Le 2SC3356DW-C est un transistor planaire épitaxié en silicium double NPN, encapsulé en boîtier CMS SOT-363. Il se caractérise par un faible bruit, un gain élevé et une très haute fréquence, et est conçu pour les amplificateurs à faible bruit dans les applications VHF, UHF et CATV. La version C offre un gain hFE de 125 à 250 pour une performance RF stable.
Fonctionnalités
- transistor planaire épitaxié en silicium à double NPN
- Boîtier de montage en surface ultra-compact SOT-363
- Faible bruit et gain élevé
- Le gain de puissance élevée
- grade hFE C : 125–250
- Fréquence de transition : fT = 7 GHz (typ.)
- Facteur de bruit : NF = 1–2 dB
- VCBO = 20 V, VCEO = 12 V, VEBO = 3 V
- Courant de collecteur continu : IC = 100 mA
- Dissipation de puissance : PC = 200 mW
- Température de jonction/stockage : −50℃ à +150℃
- Conforme à la RoHS, sans halogène, sans plomb
Applications
- Amplificateurs à faible bruit VHF/UHF
- Amplification du signal CATV
- étages d'entrée des récepteurs haute fréquence
- modules de communication RF
- équipement sans fil portable
- Traitement du signal à grande vitesse
- Conception de circuits RF miniatures