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Transistor bipolare NPN 2SC3356DW-C in contenitore SOT-363
Il 2SC3356DW-C è un transistor planare epitassiale al silicio NPN doppio in contenitore SOT-363 per montaggio superficiale. È caratterizzato da basso rumore, alto guadagno e altissime frequenze, ed è progettato per amplificatori a basso rumore nelle bande VHF, UHF e CATV. La versione di classe C offre un'efficienza di campo (hFE) da 125 a 250 per prestazioni RF stabili.
I nostri vantaggi
- Risposta in frequenza ultraelevata fino a 7 GHz per prestazioni RF eccellenti
- Figura di rumore estremamente bassa (NF ≤ 2dB), ideale per ricevitori sensibili
- Il doppio transistor NPN in package SOT-363 consente di risparmiare spazio sul PCB e ridurre i costi.
- Elevato guadagno di potenza per un'amplificazione RF efficiente
- Diversi intervalli hFE per un abbinamento preciso dei circuiti
- Conforme alle normative RoHS, privo di alogeni e di piombo.
- Ampio intervallo di temperature per applicazioni industriali e di comunicazione.
Descrizione
Il 2SC3356DW-C è un transistor planare epitassiale al silicio NPN doppio in contenitore SOT-363 per montaggio superficiale. È caratterizzato da basso rumore, alto guadagno e altissime frequenze, ed è progettato per amplificatori a basso rumore nelle bande VHF, UHF e CATV. La versione di classe C offre un'efficienza di campo (hFE) da 125 a 250 per prestazioni RF stabili.
CARATTERISTICHE
- Transistor planare epitassiale in silicio NPN doppio
- Contenitore SOT-363 ultra-compatto per montaggio superficiale
- Basso rumore e alto guadagno
- Guadagno di alta potenza
- hFE grado C: 125–250
- Frequenza di transizione: fT = 7 GHz (tip.)
- Figura di rumore: NF = 1–2dB
- VCBO = 20V, VCEO = 12V, VEBO = 3V
- Corrente continua del collettore: IC = 100mA
- Dissipazione di potenza: PC = 200 mW
- Temperatura di giunzione/immagazzinamento: da −50℃ a +150℃
- Conforme alla direttiva RoHS, senza alogeni, senza piombo.
Applicazioni
- Amplificatori a basso rumore VHF/UHF
- Amplificazione del segnale CATV
- Front-end per ricevitori ad alta frequenza
- Moduli di comunicazione RF
- apparecchiature wireless portatili
- Elaborazione del segnale ad alta velocità
- Progettazione di circuiti RF in miniatura
Nome
Titolo
Descrizione
Scheda tecnica
Supporto
Transistor bipolare PNP SS30101-Q SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolare NPN 2SD2098-R SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolare NPN MMDT4401 in contenitore SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolare PNP 2SC4373-Y in contenitore SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolare NPN 2SC2757 T33 SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMBT589 Transistor bipolare PNP SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolare PNP 2SC2881-Y in contenitore SOT-89
VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMDT5551 Transistor bipolare NPN SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolare NPN M28S SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolare NPN MMBT2222AT in contenitore SOT-523
Marca: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Le linee di prodotto di SLKOR includono dispositivi discreti, come diodi, transistor, dispositivi di potenza; e chip a circuito integrato, come regolatori lineari, chip DC/DC, chip di interfaccia, sensori Hall, ADC e BMS... Abbiamo anni di tecnologia accumulata sui semiconduttori dedicati.
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粤公网安备44030002007346号