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Transistor bipolar NPN 2SC3356DW-C SOT-363
O 2SC3356DW-C é um transistor planar epitaxial de silício NPN duplo em encapsulamento SOT-363 para montagem em superfície. Ele apresenta baixo ruído, alto ganho e características de frequência ultra-alta, projetado para amplificadores de baixo ruído em aplicações nas bandas VHF, UHF e CATV. A versão C oferece hFE de 125 a 250 para desempenho de RF estável.
Nossas Vantagens
- Resposta de frequência ultra-alta até 7 GHz para excelente desempenho de RF.
- Figura de ruído extremamente baixa (NF ≤ 2dB), ideal para receptores sensíveis.
- O encapsulamento SOT-363 com dois pinos NPN economiza espaço na placa de circuito impresso e reduz custos.
- Alto ganho de potência para amplificação de RF eficiente
- Múltiplos intervalos hFE para correspondência precisa de circuitos.
- Em conformidade com as diretivas RoHS, livre de halogênios e livre de chumbo.
- Ampla faixa de temperatura para uso industrial e em comunicações.
Descrição
O 2SC3356DW-C é um transistor planar epitaxial de silício NPN duplo em encapsulamento SOT-363 para montagem em superfície. Ele apresenta baixo ruído, alto ganho e características de frequência ultra-alta, projetado para amplificadores de baixo ruído em aplicações nas bandas VHF, UHF e CATV. A versão C oferece hFE de 125 a 250 para desempenho de RF estável.
CARATERÍSTICAS
- Transistor planar epitaxial de silício NPN duplo
- Pacote de montagem em superfície ultracompacto SOT-363
- Baixo ruído e alto ganho
- Ganho de potência alta
- hFE grau C: 125–250
- Frequência de transição: fT = 7 GHz (típ.)
- Figura de ruído: NF = 1–2dB
- VCBO = 20V, VCEO = 12V, VEBO = 3V
- Corrente contínua do coletor: IC = 100mA
- Dissipação de potência: PC = 200mW
- Temperatura de junção/armazenamento: −50℃ a +150℃
- RoHS, livre de halogênios, livre de chumbo
Aplicações
- Amplificadores de baixo ruído VHF/UHF
- amplificação de sinal CATV
- Front-ends de receptores de alta frequência
- módulos de comunicação RF
- Equipamento sem fio portátil
- Processamento de sinal de alta velocidade
- Projetos de circuitos de RF em miniatura
Name
Title
Description
Datasheet
Support
SS30101-Q Transistor Bipolar PNP SOT-23
Brand: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN 2SD2098-R SOT-89
Brand: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN MMDT4401 SOT-363
Brand: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar PNP 2SC4373-Y SOT-89
Brand: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN 2SC2757 T33 SOT-23
Brand: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar SOT-589 MMBT23 PNP
Brand: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar PNP 2SC2881-Y SOT-89
VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMDT5551 NPN Transistor Bipolar SOT-363
Brand: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN M28S SOT-23
Brand: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN MMBT2222AT SOT-523
Brand: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
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