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Transistor épitaxial au silicium BC846PN, boîtier SOT-363
Le BC846PN est un transistor double encapsulé en plastique intégrant un transistor NPN (BC846W) et un transistor PNP (BC856W) dans un seul boîtier CMS SOT-363. Il présente une construction de puce épitaxiale, des canaux isolés et d'excellentes performances électriques, ce qui le rend idéal pour l'amplification de petits signaux, la commutation et les circuits de décalage de niveau dans les dispositifs électroniques compacts.
Nos avantages
- Deux transistors NPN + PNP dans un seul boîtier SOT-363 compact
- Deux transistors isolés évitent les interférences mutuelles.
- La structure épitaxiale plane garantit une fiabilité et une homogénéité élevées.
- Gain en courant continu élevé et stable pour une amplification précise
- Faible tension de saturation et faible courant de fuite pour un rendement élevé
- Le format miniature permet de gagner de la place sur le circuit imprimé et de réduire les coûts d'assemblage.
- Large plage de températures adaptée aux applications industrielles
Description
Le BC846PN est un transistor double encapsulé en plastique intégrant un transistor NPN (BC846W) et un transistor PNP (BC856W) dans un seul boîtier CMS SOT-363. Il présente une construction de puce épitaxiale, des canaux isolés et d'excellentes performances électriques, ce qui le rend idéal pour l'amplification de petits signaux, la commutation et les circuits de décalage de niveau dans les dispositifs électroniques compacts.
Fonctionnalités
- Double transistor : NPN + PNP en boîtier SOT-363
- Construction de matrices épitaxiales
- Deux transistors isolés
- Marquage : BB
- NPN : VCBO=80 V, VCEO=65 V, IC=100 mA
- PNP : VCBO = -80 V, VCEO = -65 V, IC = -100 mA
- Dissipation de puissance : PC = 200 mW par canal
- Gain en courant continu : hFE jusqu’à 475
- Fréquence de transition : fT=100 MHz (typ.)
- Faible tension de saturation et faible courant de fuite
- Température de jonction/stockage : −55℃ à +150℃
Applications
- Circuits d'amplification de petits signaux
- Commande de commutation à faible consommation
- Changement de niveau logique
- Interfaces audio et capteurs
- appareils électroniques portables grand public
- Modules PCB haute densité
- Appareils industriels et alimentés par batterie
Nom
Titre
Description
Fiche technique
Support
Transistor bipolaire PNP SS30101-Q, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolaire NPN 2SD2098-R, boîtier SOT-89
Marque: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolaire NPN MMDT4401, boîtier SOT-363
Marque: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolaire PNP 2SC4373-Y, boîtier SOT-89
Marque: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolaire NPN 2SC2757 T33, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMBT589 Transistor bipolaire PNP SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolaire PNP 2SC2881-Y, boîtier SOT-89
VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMDT5551 Transistor bipolaire NPN SOT-363
Marque: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolaire NPN M28S, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolaire NPN MMBT2222AT, boîtier SOT-523
Marque: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Les gammes de produits de SLKOR incluent des dispositifs discrets, etc., diodes, transistors, dispositifs de puissance ; et des puces de circuits intégrés, etc., régulateurs linéaires, puces DC/DC, puces d'interface, capteurs à effet Hall, CAN et BMS... Nous avons des années de technologie accumulée sur les semi-conducteurs dédiés.
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