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Transistor de silicio epitaxial BC846PN SOT-363
El BC846PN es un transistor dual encapsulado en plástico que integra un transistor NPN (BC846W) y un transistor PNP (BC856W) en un único paquete de montaje superficial SOT-363. Presenta una construcción de chip epitaxial, canales aislados y un excelente rendimiento eléctrico, ideal para circuitos de amplificación de pequeña señal, conmutación y cambio de nivel en dispositivos electrónicos compactos.
Nuestras ventajas
- Transistores duales NPN + PNP en un encapsulado SOT-363 compacto.
- Dos transistores aislados evitan la interferencia mutua.
- La estructura planar epitaxial garantiza una alta fiabilidad y consistencia.
- Alta y estable ganancia de corriente continua para una amplificación precisa.
- Bajo voltaje de saturación y baja fuga para una alta eficiencia.
- El encapsulado en miniatura ahorra espacio en la placa de circuito impreso y reduce los costos de ensamblaje.
- Amplio rango de temperatura adecuado para aplicaciones industriales.
Mareas Ideales para Lecciones
El BC846PN es un transistor dual encapsulado en plástico que integra un transistor NPN (BC846W) y un transistor PNP (BC856W) en un único paquete de montaje superficial SOT-363. Presenta una construcción de chip epitaxial, canales aislados y un excelente rendimiento eléctrico, ideal para circuitos de amplificación de pequeña señal, conmutación y cambio de nivel en dispositivos electrónicos compactos.
CARACTERÍSTICAS
- Transistor dual: NPN + PNP en encapsulado SOT-363
- Construcción de matrices epitaxiales
- Dos transistores aislados
- Marcado: BB
- NPN: VCBO=80V, VCEO=65V, IC=100mA
- PNP: VCBO=-80V, VCEO=-65V, IC=-100mA
- Disipación de potencia: PC = 200 mW por canal
- Ganancia de corriente continua: hFE hasta 475
- Frecuencia de transición: fT=100MHz (típ.)
- Bajo voltaje de saturación y baja corriente de fuga
- Temperatura de unión/almacenamiento: −55℃ a +150℃
Aplicaciones
- Circuitos de amplificación de señales pequeñas
- Control de conmutación de baja potencia
- Cambio de nivel lógico
- Interfaces de audio y sensores
- Electrónica de consumo portátil
- Módulos PCB de alta densidad
- Dispositivos industriales y alimentados por batería
Nombre
Título
Descripción
Ficha técnica
Soporte
Transistor bipolar PNP SS30101-Q SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN 2SD2098-R SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN MMDT4401 SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar PNP 2SC4373-Y SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN 2SC2757 T33 SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar SOT-589 MMBT23 PNP
Marca: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar PNP 2SC2881-Y SOT-89
VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar MMDT5551 NPN SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN M28S SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN MMBT2222AT SOT-523
Marca: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
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