Nossas Vantagens
- Dual NPN + PNP transistors in one compact SOT-363 package
- Two isolated transistors avoid mutual interference
- Epitaxial planar structure ensures high reliability and consistency
- High and stable DC current gain for precise amplification
- Baixa tensão de saturação e baixa corrente de fuga para alta eficiência.
- Miniature package saves PCB space and assembly cost
- Wide temperature range suitable for industrial applications
Descrição
BC846PN is a plastic-encapsulated dual transistor integrating one NPN (BC846W) and one PNP (BC856W) transistor in a single SOT-363 surface‑mount package. It features epitaxial die construction, isolated channels, and excellent electrical performance, ideal for small‑signal amplification, switching, and level‑shift circuits in compact electronic devices.
CARATERÍSTICAS
- Transistor duplo: NPN + PNP em SOT-363
- Epitaxial die construction
- Two isolated transistors
- Marking: BB
- NPN: VCBO=80V, VCEO=65V, IC=100mA
- PNP: VCBO=-80V, VCEO=-65V, IC=-100mA
- Power dissipation: PC=200mW per channel
- DC current gain: hFE up to 475
- Frequência de transição: fT=100MHz (típ.)
- Baixa tensão de saturação e baixa corrente de fuga.
- Temperatura de junção/armazenamento: −55℃ a +150℃
Aplicações
- Small‑signal amplification circuits
- Controle de comutação de baixa potência
- Mudança de nível lógico
- Audio and sensor interfaces
- eletrônicos portáteis de consumo
- High‑density PCB modules
- Industrial and battery‑powered devices