एसके हाइनिक्स की आधिकारिक वेबसाइट के अनुसार, 29 अगस्त को, एसके हाइनिक्स ने घोषणा की कि उसने छठी पीढ़ी के 16nm-क्लास (5c) प्रक्रिया का उपयोग करके दुनिया का पहला 10Gb DDR1 DRAM सफलतापूर्वक विकसित किया है। कंपनी की योजना वर्ष के अंत तक 1c DDR5 DRAM के लिए बड़े पैमाने पर उत्पादन की तैयारी पूरी करने और अगले साल उत्पादों की आपूर्ति शुरू करने की है, जिससे सेमीकंडक्टर मेमोरी बाजार के विकास में अग्रणी भूमिका निभाई जा सके।

बताया गया है कि एसके हाइनिक्स ने 1बी डीआरएएम प्लेटफॉर्म का विस्तार करके 1सी प्रक्रिया विकसित की है, जो न केवल प्रक्रिया के दौरान संभावित त्रुटियों को कम करती है बल्कि उच्च प्रदर्शन को भी बनाए रखती है। इसके अतिरिक्त, कुछ ईयूवी प्रक्रियाओं में नई सामग्री विकसित और लागू की गई है, और लागत प्रतिस्पर्धात्मकता सुनिश्चित करने के लिए पूरी प्रक्रिया को ईयूवी प्रयोज्यता के लिए अनुकूलित किया गया है। इसके अलावा, 1सी प्रक्रिया में डिजाइन प्रौद्योगिकी नवाचारों ने पिछली 30बी प्रक्रिया की तुलना में उत्पादकता में 1% से अधिक की वृद्धि की है।

1c DDR5 DRAM का उपयोग मुख्य रूप से उच्च-प्रदर्शन वाले डेटा केंद्रों में किया जाएगा, जो 8Gbps (8 गीगाबिट प्रति सेकंड) की गति से काम करेगा, जो पिछली पीढ़ी की तुलना में 11% की गति सुधार है। इसके अलावा, ऊर्जा दक्षता में 9% से अधिक की वृद्धि हुई है। AI युग के उदय के साथ, डेटा सेंटर की बिजली की खपत में वृद्धि जारी है। SK Hynix का दावा है कि अगर वैश्विक ग्राहक अपने डेटा सेंटर में SK Hynix के 1c DRAM को अपनाते हैं, तो कंपनी का अनुमान है कि बिजली की लागत 30% तक कम हो सकती है।

एसके हाइनिक्स इस बात पर जोर देता है कि जैसे-जैसे 10एनएम-क्लास DRAM तकनीक की पीढ़ियाँ आगे बढ़ती हैं, ठीक प्रक्रिया की कठिनाई बढ़ती जाती है। हालाँकि, अत्यधिक मान्यता प्राप्त पाँचवीं पीढ़ी (1बी) तकनीक के आधार पर, कंपनी ने डिज़ाइन पूर्णता में सुधार किया है और तकनीकी सीमाओं को पार किया है। एसके हाइनिक्स के DRAM विकास उपाध्यक्ष, किम जोंग-ह्वान ने कहा, "1सी प्रक्रिया तकनीक शीर्ष प्रदर्शन को लागत प्रतिस्पर्धात्मकता के साथ जोड़ती है, और कंपनी इसे अगली पीढ़ी के HBM1, LPDDR62, GDDR73 और अन्य उन्नत DRAM उत्पाद समूहों पर लागू करेगी, जिससे ग्राहकों को अलग-अलग मूल्य प्रदान किया जा सके।"