SK Hynix کی آفیشل ویب سائٹ کے مطابق، 29 اگست کو، SK Hynix نے اعلان کیا کہ اس نے چھٹی نسل کے 16nm-کلاس (5c) عمل کا استعمال کرتے ہوئے دنیا کا پہلا 10Gb DDR1 DRAM کامیابی سے تیار کیا ہے۔ کمپنی سال کے آخر تک 1c DDR5 DRAM کے لیے بڑے پیمانے پر پیداوار کی تیاری مکمل کرنے اور اگلے سال مصنوعات کی فراہمی شروع کرنے کا ارادہ رکھتی ہے، جس سے سیمی کنڈکٹر میموری مارکیٹ کی ترقی ہوگی۔

یہ اطلاع دی جاتی ہے کہ SK Hynix نے 1b DRAM پلیٹ فارم کو بڑھا کر 1c عمل تیار کیا، جس سے نہ صرف عمل کی بلندی کے دوران ممکنہ غلطیوں کو کم کیا جاتا ہے بلکہ اعلی کارکردگی کو بھی برقرار رکھا جاتا ہے۔ مزید برآں، کچھ EUV عملوں میں نئے مواد تیار اور لاگو کیے گئے ہیں، اور لاگت کی مسابقت کو یقینی بنانے کے لیے پورے عمل کو EUV قابل اطلاق کے لیے بہتر بنایا گیا ہے۔ مزید برآں، 1c کے عمل میں ڈیزائن ٹیکنالوجی کی اختراعات نے گزشتہ 30b عمل کے مقابلے میں 1 فیصد سے زیادہ پیداواری صلاحیت میں اضافہ کیا ہے۔

1c DDR5 DRAM بنیادی طور پر اعلی کارکردگی والے ڈیٹا سینٹرز میں استعمال کیا جائے گا، جو 8Gbps (8 گیگا بٹس فی سیکنڈ) کی رفتار سے کام کرے گا، جو کہ پچھلی نسل کے مقابلے میں 11% رفتار میں بہتری ہے۔ مزید یہ کہ توانائی کی کارکردگی میں 9 فیصد سے زیادہ اضافہ ہوا ہے۔ AI دور کے عروج کے ساتھ، ڈیٹا سینٹر کی بجلی کی کھپت میں اضافہ جاری ہے۔ SK Hynix کا دعویٰ ہے کہ اگر عالمی صارفین اپنے ڈیٹا سینٹرز میں SK Hynix کے 1c DRAM کو اپناتے ہیں، تو کمپنی نے پیش گوئی کی ہے کہ بجلی کی قیمتوں میں 30% تک کمی ہو سکتی ہے۔

SK Hynix اس بات پر زور دیتا ہے کہ جیسے جیسے 10nm-کلاس DRAM ٹیکنالوجی کی نسلیں آگے بڑھتی ہیں، ٹھیک عمل کی دشواری بڑھتی جاتی ہے۔ تاہم، انتہائی تسلیم شدہ پانچویں جنریشن (1b) ٹیکنالوجی کی بنیاد پر، کمپنی نے ڈیزائن کی تکمیل کو بہتر بنایا ہے اور تکنیکی حدود کو توڑ دیا ہے۔ SK Hynix کے DRAM ڈویلپمنٹ VP، Kim Jong-hwan نے کہا، "1c پروسیس ٹیکنالوجی اعلی کارکردگی کو لاگت کی مسابقت کے ساتھ جوڑتی ہے، اور کمپنی اسے اگلی نسل کے HBM1، LPDDR62، GDDR73، اور دیگر جدید DRAM پروڈکٹ گروپس پر لاگو کرے گی، اس طرح۔ گاہکوں کو مختلف قیمت فراہم کرنا۔"