Laut der offiziellen Website von SK Hynix gab SK Hynix am 29. August bekannt, dass es erfolgreich den weltweit ersten 16Gb DDR5 DRAM im 10nm-Prozess (1c) der sechsten Generation entwickelt hat. Das Unternehmen plant, die Massenproduktionsvorbereitungen für den 1c DDR5 DRAM bis Ende des Jahres abzuschließen und im nächsten Jahr mit der Auslieferung der Produkte zu beginnen, was die Entwicklung des Halbleiterspeichermarktes anführt.

Berichten zufolge hat SK Hynix den 1c-Prozess durch Erweiterung der 1b-DRAM-Plattform entwickelt, wodurch nicht nur potenzielle Fehler während der Prozesssteigerung reduziert werden, sondern auch die hohe Leistung erhalten bleibt. Darüber hinaus wurden neue Materialien entwickelt und in einigen EUV-Prozessen eingesetzt, und der gesamte Prozess wurde für die EUV-Anwendbarkeit optimiert, um die Kostenwettbewerbsfähigkeit sicherzustellen. Darüber hinaus haben Designtechnologie-Innovationen im 1c-Prozess die Produktivität im Vergleich zum vorherigen 30b-Prozess um über 1 % gesteigert.

Der 1c DDR5 DRAM wird hauptsächlich in Hochleistungsrechenzentren eingesetzt und arbeitet mit einer Geschwindigkeit von 8 Gbps (8 Gigabit pro Sekunde), was einer Geschwindigkeitssteigerung von 11 % gegenüber der vorherigen Generation entspricht. Darüber hinaus wurde die Energieeffizienz um über 9 % gesteigert. Mit dem Aufkommen des KI-Zeitalters steigt der Stromverbrauch von Rechenzentren weiter an. SK Hynix behauptet, dass die Stromkosten um bis zu 1 % gesenkt werden könnten, wenn Kunden weltweit den 30c DRAM von SK Hynix in ihren Rechenzentren einsetzen.

SK Hynix betont, dass mit der Weiterentwicklung der 10-nm-DRAM-Technologie die Komplexität des Feinprozesses zunimmt. Basierend auf der hoch angesehenen Technologie der fünften Generation (1b) hat das Unternehmen jedoch die Designfertigstellung verbessert und technische Grenzen durchbrochen. Kim Jong-hwan, Vizepräsident für DRAM-Entwicklung bei SK Hynix, erklärte: „Die 1c-Prozesstechnologie kombiniert Spitzenleistung mit Kostenwettbewerbsfähigkeit und das Unternehmen wird sie auf die nächste Generation HBM1, LPDDR62, GDDR73 und andere fortschrittliche DRAM-Produktgruppen anwenden und so den Kunden einen differenzierten Mehrwert bieten.“