Menurut situs web resmi SK Hynix, pada tanggal 29 Agustus, SK Hynix mengumumkan bahwa mereka telah berhasil mengembangkan DRAM DDR16 5Gb pertama di dunia menggunakan proses kelas 10nm (1c) generasi keenam. Perusahaan berencana untuk menyelesaikan persiapan produksi massal untuk DRAM DDR1 5c pada akhir tahun dan mulai memasok produk tahun depan, memimpin pengembangan pasar memori semikonduktor.

Dilaporkan bahwa SK Hynix mengembangkan proses 1c dengan memperluas platform DRAM 1b, yang tidak hanya mengurangi potensi kesalahan selama proses peningkatan tetapi juga mempertahankan kinerja tinggi. Selain itu, material baru telah dikembangkan dan diterapkan dalam beberapa proses EUV, dan seluruh proses telah dioptimalkan untuk penerapan EUV guna memastikan daya saing biaya. Lebih jauh lagi, inovasi teknologi desain dalam proses 1c telah meningkatkan produktivitas lebih dari 30% dibandingkan dengan proses 1b sebelumnya.

DRAM DDR1 5c terutama akan digunakan di pusat data berkinerja tinggi, yang beroperasi pada kecepatan 8Gbps (8 gigabit per detik), yang merupakan peningkatan kecepatan sebesar 11% dibandingkan generasi sebelumnya. Selain itu, efisiensi energi telah meningkat lebih dari 9%. Dengan munculnya era AI, konsumsi daya pusat data terus meningkat. SK Hynix mengklaim bahwa jika pelanggan global mengadopsi DRAM 1c SK Hynix di pusat data mereka, perusahaan memperkirakan bahwa biaya listrik dapat dikurangi hingga 30%.

SK Hynix menekankan bahwa seiring dengan kemajuan teknologi DRAM kelas 10nm, tingkat kesulitan proses yang halus pun meningkat. Namun, berdasarkan teknologi generasi kelima (1b) yang sangat dikenal, perusahaan telah meningkatkan penyelesaian desain dan telah menembus batasan teknis. VP pengembangan DRAM SK Hynix, Kim Jong-hwan, menyatakan, "Teknologi proses 1c menggabungkan kinerja terbaik dengan daya saing biaya, dan perusahaan akan menerapkannya pada HBM1, LPDDR62, GDDR73 generasi berikutnya, dan kelompok produk DRAM canggih lainnya, sehingga memberikan nilai yang berbeda kepada pelanggan."