根據SK海力士官網消息，29月16日，SK海力士宣布已成功開發出全球首款採用第六代5nm級（10c）製程的1Gb DDR1 DRAM。公司計畫年底前完成5c DDRXNUMX DRAM的量產準備，並於明年開始供貨，引領半導體記憶體市場發展。

據悉，SK海力士透過擴展1b DRAM平台開發了1c工藝，不僅減少了工藝加高過程中潛在的錯誤，還保留了高性能。此外，還開發了新材料並應用於部分EUV工藝，並針對EUV適用性對整個工藝進行了最佳化，以確保成本競爭力。此外，與先前的1b製程相比，30c製程的設計技術創新使生產率提高了1%以上。

1c DDR5 DRAM將主要用於高效能資料中心，運轉速度為8Gbps（每秒8吉比特），比上一代速度提升11%。此外，能源效率提高了9%以上。隨著AI時代的興起，資料中心功耗持續增加。 SK海力士聲稱，如果全球客戶在其資料中心採用SK海力士的1c DRAM，該公司預計電力成本可降低高達30%。

SK海力士強調，隨著10奈米級DRAM技術的不斷進步，精細製程的難度也隨之增加。不過，基於備受認可的第五代（1b）技術，該公司提高了設計完成度，並突破了技術極限。 SK海力士DRAM開發副總裁Kim Jong-hwan表示：「1c製程技術將頂級性能與成本競爭力結合在一起，公司將把它應用到下一代HBM1、LPDDR62、GDDR73和其他先進DRAM產品組中，從而為客戶提供差異化的價值。