Menurut laman web rasmi SK Hynix, pada 29 Ogos, SK Hynix mengumumkan bahawa ia telah berjaya membangunkan DRAM DDR16 5Gb pertama di dunia menggunakan proses kelas 10nm (1c) generasi keenam. Syarikat itu merancang untuk menyelesaikan penyediaan pengeluaran besar-besaran untuk 1c DDR5 DRAM menjelang akhir tahun dan mula membekalkan produk tahun depan, menerajui pembangunan pasaran memori semikonduktor.

Dilaporkan bahawa SK Hynix membangunkan proses 1c dengan memanjangkan platform DRAM 1b, yang bukan sahaja mengurangkan kemungkinan ralat semasa proses meningkat tetapi juga mengekalkan prestasi tinggi. Selain itu, bahan baharu telah dibangunkan dan digunakan dalam beberapa proses EUV, dan keseluruhan proses telah dioptimumkan untuk kebolehgunaan EUV bagi memastikan daya saing kos. Tambahan pula, inovasi teknologi reka bentuk dalam proses 1c telah meningkatkan produktiviti lebih 30% berbanding proses 1b sebelumnya.

DRAM DDR1 5c terutamanya akan digunakan dalam pusat data berprestasi tinggi, beroperasi pada kelajuan 8Gbps (8 gigabit sesaat), yang merupakan peningkatan kelajuan 11% berbanding generasi sebelumnya. Selain itu, kecekapan tenaga telah meningkat lebih 9%. Dengan kebangkitan era AI, penggunaan kuasa pusat data terus meningkat. SK Hynix mendakwa bahawa jika pelanggan global menggunakan DRAM 1c SK Hynix di pusat data mereka, syarikat itu meramalkan bahawa kos elektrik boleh dikurangkan sehingga 30%.

SK Hynix menekankan bahawa apabila generasi teknologi DRAM kelas 10nm maju, kesukaran proses halus meningkat. Walau bagaimanapun, berdasarkan teknologi generasi kelima (1b) yang sangat diiktiraf, syarikat itu telah menambah baik penyiapan reka bentuk dan telah menembusi had teknikal. Naib Presiden pembangunan DRAM SK Hynix, Kim Jong-hwan, menyatakan, "Teknologi proses 1c menggabungkan prestasi terbaik dengan daya saing kos, dan syarikat akan menggunakannya pada HBM1, LPDDR62, GDDR73 dan kumpulan produk DRAM maju yang lain, dengan itu. memberikan nilai yang berbeza kepada pelanggan."