Według oficjalnej strony internetowej SK Hynix, 29 sierpnia firma SK Hynix ogłosiła, że ​​udało jej się opracować pierwszą na świecie pamięć DRAM DDR16 5 Gb przy użyciu procesu szóstej generacji klasy 10 nm (1c). Firma planuje zakończyć masową produkcję pamięci DRAM DDR1 5c do końca roku i rozpocząć dostawy produktów w przyszłym roku, przewodząc rozwojowi rynku pamięci półprzewodnikowych.

Doniesiono, że SK Hynix opracował proces 1c poprzez rozszerzenie platformy DRAM 1b, co nie tylko zmniejsza potencjalne błędy podczas podwyższania procesu, ale także zachowuje wysoką wydajność. Ponadto opracowano i zastosowano nowe materiały w niektórych procesach EUV, a cały proces zoptymalizowano pod kątem przydatności EUV, aby zapewnić konkurencyjność kosztową. Ponadto innowacje w zakresie technologii projektowania w procesie 1c zwiększyły produktywność o ponad 30% w porównaniu z poprzednim procesem 1b.

Pamięć DRAM 1c DDR5 będzie używana głównie w centrach danych o wysokiej wydajności, pracując z prędkością 8 Gbps (8 gigabitów na sekundę), co stanowi 11% poprawę prędkości w porównaniu z poprzednią generacją. Ponadto efektywność energetyczna wzrosła o ponad 9%. Wraz z rozwojem ery AI, zużycie energii w centrach danych nadal rośnie. SK Hynix twierdzi, że jeśli globalni klienci przyjmą pamięć DRAM 1c firmy SK Hynix w swoich centrach danych, firma prognozuje, że koszty energii elektrycznej mogą zostać obniżone nawet o 30%.

SK Hynix podkreśla, że ​​wraz z rozwojem generacji technologii DRAM klasy 10 nm wzrasta trudność precyzyjnego procesu. Jednak w oparciu o powszechnie uznaną technologię piątej generacji (1b) firma udoskonaliła ukończenie projektu i przełamała ograniczenia techniczne. Wiceprezes ds. rozwoju pamięci DRAM w SK Hynix, Kim Jong-hwan, stwierdził: „Technologia procesu 1c łączy najwyższą wydajność z konkurencyjnością kosztową, a firma zastosuje ją w następnej generacji HBM1, LPDDR62, GDDR73 i innych zaawansowanych grupach produktów DRAM, zapewniając tym samym klientom zróżnicowaną wartość”.