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SK Hynix desenvolve a primeira DRAM DDR10 de 5 nm de sexta geração do mundo
2024-08-29 1377

De acordo com o site oficial da SK Hynix, em 29 de agosto, a SK Hynix anunciou que desenvolveu com sucesso a primeira DRAM DDR16 de 5 Gb do mundo usando o processo de sexta geração de 10 nm-class (1c). A empresa planeja concluir a preparação da produção em massa para a DRAM DDR1 de 5c até o final do ano e começar a fornecer os produtos no ano que vem, liderando o desenvolvimento do mercado de memória semicondutora.

 

É relatado que a SK Hynix desenvolveu o processo 1c estendendo a plataforma 1b DRAM, o que não apenas reduz erros potenciais durante o aumento do processo, mas também mantém alto desempenho. Além disso, novos materiais foram desenvolvidos e aplicados em alguns processos EUV, e todo o processo foi otimizado para aplicabilidade EUV para garantir competitividade de custo. Além disso, inovações em tecnologia de design no processo 1c aumentaram a produtividade em mais de 30% em comparação ao processo 1b anterior.

 

O 1c DDR5 DRAM será usado principalmente em data centers de alto desempenho, operando a uma velocidade de 8 Gbps (8 gigabits por segundo), o que é uma melhoria de velocidade de 11% em relação à geração anterior. Além disso, a eficiência energética aumentou em mais de 9%. Com a ascensão da era da IA, o consumo de energia do data center continua a aumentar. A SK Hynix afirma que se os clientes globais adotarem o 1c DRAM da SK Hynix em seus data centers, a empresa prevê que os custos de eletricidade poderão ser reduzidos em até 30%.

 

A SK Hynix enfatiza que, à medida que as gerações da tecnologia DRAM de classe 10 nm avançam, a dificuldade do processo fino aumenta. No entanto, com base na tecnologia de quinta geração (1b) altamente reconhecida, a empresa melhorou a conclusão do design e rompeu os limites técnicos. O vice-presidente de desenvolvimento de DRAM da SK Hynix, Kim Jong-hwan, declarou: "A tecnologia de processo 1c combina desempenho superior com competitividade de custo, e a empresa a aplicará à próxima geração de HBM1, LPDDR62, GDDR73 e outros grupos de produtos DRAM avançados, fornecendo, assim, valor diferenciado aos clientes."

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