Según el sitio web oficial de SK Hynix, el 29 de agosto, SK Hynix anunció que ha desarrollado con éxito la primera memoria DRAM DDR16 de 5 Gb del mundo utilizando el proceso de sexta generación de 10 nm (1c). La empresa planea completar la preparación de la producción en masa de la memoria DRAM DDR1 de 5c para finales de año y comenzar a suministrar los productos el próximo año, liderando el desarrollo del mercado de memoria de semiconductores.

Se informa que SK Hynix desarrolló el proceso 1c ampliando la plataforma DRAM 1b, lo que no solo reduce los posibles errores durante la intensificación del proceso, sino que también mantiene un alto rendimiento. Además, se han desarrollado y aplicado nuevos materiales en algunos procesos EUV, y se ha optimizado todo el proceso para la aplicabilidad de EUV para garantizar la competitividad de costos. Además, las innovaciones en tecnología de diseño en el proceso 1c han aumentado la productividad en más del 30% en comparación con el proceso 1b anterior.

La DRAM DDR1 5c se utilizará principalmente en centros de datos de alto rendimiento, que funcionan a una velocidad de 8 Gbps (8 gigabits por segundo), lo que supone una mejora de velocidad del 11 % con respecto a la generación anterior. Además, la eficiencia energética ha aumentado más del 9 %. Con el auge de la era de la IA, el consumo de energía de los centros de datos sigue aumentando. SK Hynix afirma que si los clientes globales adoptan la DRAM 1c de SK Hynix en sus centros de datos, la empresa prevé que los costes de electricidad podrían reducirse hasta en un 30 %.

SK Hynix destaca que, a medida que avanzan las generaciones de tecnología DRAM de 10 nm, aumenta la dificultad del proceso fino. Sin embargo, basándose en la reconocida tecnología de quinta generación (1b), la empresa ha mejorado la finalización del diseño y ha superado los límites técnicos. El vicepresidente de desarrollo de DRAM de SK Hynix, Kim Jong-hwan, afirmó: "La tecnología de proceso 1c combina el máximo rendimiento con la competitividad de costes, y la empresa la aplicará a la próxima generación de HBM1, LPDDR62, GDDR73 y otros grupos de productos DRAM avanzados, ofreciendo así un valor diferenciado a los clientes".