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MOSFET di potenziamento del canale P SL2P10A SOT-23

● Tariffa gate estremamente bassa

● Eccellente riduzione dell'effetto Cdv/dt

● Dispositivo verde disponibile

I nostri vantaggi
I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale. 


Descrizione generale

Questo MOSFET a canale P utilizza una tecnologia e un design a trincea avanzati per fornire un'eccellente R DS(on) con una bassa carica di gate. Può essere utilizzato in un'ampia varietà di applicazioni.


Caratteristiche

Tariffa d'ingresso bassissima

Eccellente decremento dell'effetto Cdv/dt

Dispositivo ecologico disponibile

Tecnologia Trench avanzata ad alta densità cellulare


Applicazioni

Monitor video

● Risparmio energetico

Riepilogo dei prodotti

VDS RDS (ON) MAX ID MAX
-100V650 mΩ@10 V -2A
700 mΩ@4.5 V



Nome
Titolo
Descrizione
Datasheet
Assistenza

Assistenza

 

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Longevità

 

Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.

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