Service-Hotline
● Sehr niedrige Gate-Ladung
● Ausgezeichneter Rückgang des Cdv/dt-Effekts
● Grünes Gerät verfügbar
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse wurden jahrelang iteriert, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien führte. Viele internationale Konzerne entscheiden sich für die Auslagerung der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte in 99 % der Anwendungen die Produkte großer internationaler Marken vollständig ersetzen, ohne dass eine Testverifizierung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonstanz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Lieferung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Allgemeine Beschreibung
Dieser P-Kanal-MOSFET nutzt fortschrittliche Trench-Technologie und ein optimiertes Design, um einen exzellenten R<sub> DS(on)</sub> -Wert bei geringer Gate-Ladung zu erzielen. Er ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet.
Eigenschaften
● Extrem niedrige Gate-Ladung
● Ausgezeichneter Rückgang des CDV/dT-Effekts
● Umweltfreundliches Gerät verfügbar
● Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte
Anwendungen
● Videomonitor
● Power-Management
Produktübersicht
| VDS | RDS (EIN) MAX | ID MAX |
| -100V | 650 mΩ bei 10 V | -2A |
| 700 mΩ bei 4.5 V |
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.















