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SL2P10A P-Kanal-Verstärkungs-MOSFET SOT-23

● Sehr niedrige Gate-Ladung

● Ausgezeichneter Rückgang des Cdv/dt-Effekts

● Grünes Gerät verfügbar

Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse wurden jahrelang iteriert, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien führte. Viele internationale Konzerne entscheiden sich für die Auslagerung der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte in 99 % der Anwendungen die Produkte großer internationaler Marken vollständig ersetzen, ohne dass eine Testverifizierung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonstanz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Lieferung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus. 


Allgemeine Beschreibung

Dieser P-Kanal-MOSFET nutzt fortschrittliche Trench-Technologie und ein optimiertes Design, um einen exzellenten R<sub> DS(on)</sub> -Wert bei geringer Gate-Ladung zu erzielen. Er ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet.


Eigenschaften

Extrem niedrige Gate-Ladung

Ausgezeichneter Rückgang des CDV/dT-Effekts

Umweltfreundliches Gerät verfügbar

Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte


Anwendungen

Videomonitor

● Power-Management

Produktübersicht

VDS RDS (EIN) MAX ID MAX
-100V650 mΩ bei 10 V -2A
700 mΩ bei 4.5 V



Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung

Unterstützung

 

Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.

Langlebigkeit

 

Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.

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