servicio de teléfono directo
● Cargo de puerta súper bajo
● Excelente disminución del efecto Cdv/dt
● Dispositivo ecológico disponible
Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.
Descripción general
Este MOSFET de canal P utiliza tecnología y diseño de trinchera avanzados para proporcionar una excelente resistencia R DS(on) con baja carga de puerta. Puede utilizarse en una amplia variedad de aplicaciones.
Caracteristicas
● Cargo de entrada súper bajo
● Excelente disminución del efecto Cdv/dt
● Dispositivo ecológico disponible
● Tecnología avanzada de trinchera de alta densidad celular
Aplicaciones
● Monitor de vídeo
● Gestión de energía
Resumen del producto
| VDS | RDS (ACTIVADO) MAX | ID MAX |
| -100V | 650mΩ@10V | -2A |
| 700mΩ@4.5V |
Soporte
Si necesita asistencia técnica o de diseño, háganoslo saber y complete el formulario de respuesta. Nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.















