1. Inleiding 

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), een geïsoleerde bipolaire transistor, is een samengesteld, volledig aangestuurd spanningsgestuurd halfgeleiderapparaat dat bestaat uit een BJT (Bipolar Transistor) en een MOS (Insulated Gate Field Effect Transistor). Deze transistor heeft de voordelen van een hoge ingangsimpedantie van de MOSFET en een lage spanningsval van de GTR. 

IGBT combineert de voordelen van de twee bovengenoemde apparaten: het aandrijfvermogen is laag en de verzadigingsspanning wordt verlaagd. 

Het is de hoofdstroom geworden van de ontwikkeling van elektrische halfgeleiderapparaten en wordt veel gebruikt in windenergie, fotovoltaïsche energie, elektrische voertuigen, slimme netwerken en andere industrieën. 

In de elektrische voertuigindustrie wordt IGBT veel gebruikt in motorcontrollers, hulpstroomsystemen en elektrische airconditioners. Hoogvermogen-IGBT wordt vooral gebruikt in motorcontrollers. Omdat de werkomgeving van motorcontrollers in elektrische voertuigen relatief verstoord is, hebben parasitaire parameters zoals de gate-gedistribueerde capaciteit van IGBT en het Miller-effect in de schakelaars zelf direct invloed op de betrouwbaarheid van de aanstuurcircuits [1]. 

Wanneer de motor in gebruik is, moet de IGBT goed worden beschermd tegen overstroom, kortsluiting en overspanning. 

Overstroom zorgt ervoor dat de temperatuur van de motorregelaar stijgt, wat kan worden gedetecteerd door een temperatuursensor en beveiligd door een bijbehorend circuit. Over het algemeen treedt de overspanning op wanneer de IGBT is uitgeschakeld, en de grotere di/dt zal een hogere spanning op de parasitaire inductantie genereren, die kan worden gefixeerd door een buffercircuit te gebruiken of de schakelfrequentie te verlagen. 

Na de kortsluiting ontstaat er direct een enorme stroom, die de IGBT snel zal beschadigen. De overstroombeveiliging van het moederbord komt te laat en het hardwarecircuit moet het aanstuurcircuit direct aansturen om het te beschermen. 

Daarom is het bij het ontwerp van de driver van bijzonder belang of de beveiligingsfunctie al dan niet perfect is voor de veilige werking van het systeem. 

1. IGBT-kenmerken van modules 

1.1 Schakelkarakteristieken 

De schakelkarakteristieken van IGBT worden weergegeven in figuur 1. Wanneer de IGBT-module is uitgeschakeld, genereert VCE een piekspanning door lekinductantie [2], die verandert met de verandering van dv/dt. Omdat de schakeltijd verandert met de collectorstroom, junctietemperatuur en gateweerstand (Rg), kan, als de schakeltijd langer wordt en de gateweerstand groter, het fenomeen van brugdoorslag optreden als gevolg van onvoldoende dode tijd, wat de IGBT kan beschadigen.  

Tegelijkertijd treedt er schakelverlies op wanneer de schakelaar wordt in- of uitgeschakeld. Deze eigenschap verandert afhankelijk van de junctietemperatuur en de aandrijfweerstand. Vooral de keuze van Rg is erg belangrijk. Een te grote Rg vertraagt ​​de schakelsnelheid van de IGBT, wat uiteraard de overspanningspiek bij het schakelen kan verminderen. Het schakelverlies neemt echter evenredig toe, wat de warmteontwikkeling van de IGBT verhoogt. Een te kleine Rg kan daarentegen een te hoge piekspanning veroorzaken (= Ls x dIc/dt). 

1.2 Capaciteitskarakteristiek 

Zoals weergegeven in figuur 2 hieronder zijn CGC, CGE en CCE de parasitaire capaciteiten tussen IGBT-elektroden, waarbij Cies de ingangscapaciteit is, Coes de uitgangscapaciteit en Cres de omgekeerde geleidingscapaciteit [4]. 

Figuur 2 parasitaire capaciteit tussen IGBT-elektroden 

Zoals te zien is in figuur 2, kan de equivalente uitgangscondensator CoEs een extra pad bieden voor de C-pool van de IGBT, wat de verandering van de collectorspanning van de IGBT beïnvloedt. Wanneer de IGBT uitgeschakeld is, laadt de belastingsstroom CoEs op. De veranderingssnelheid van de collectorspanning van de IGBT is dan afhankelijk van de laadsnelheid van de belastingsstroom. Omdat de capaciteit van CoEs erg klein is, kan de invloed ervan bij hoge stromen worden verwaarloosd. Bij een lage belastingsstroom zal de collectorspanning van de IGBT aanzienlijk veranderen. 

Het proces van het in- en uitschakelen van IGBT kan gelijkwaardig zijn aan het proces van het laden en ontladen van parasitaire capaciteit (collector equivalente uitgangscapaciteit). 

De collectorstroom en schakelsnelheid hebben invloed op de veranderingssnelheid van de collectorspanning. Wanneer de IGBT-stroom laag is, is de dv/dt van de collectorspanning klein; daarentegen, wanneer de stroom toeneemt, is de dv/dt van de collectorspanning groot. 

In de bovenste en onderste poten van de IGBT, wanneer één poot is ingeschakeld en de andere is uitgeschakeld, ontstaat een dVce/dt-spanningsverandering op de IGBT en de vrijloopdiode van de uitgeschakelde poot. Ook wordt er een laadstroom iCG gegenereerd tussen de collector en de gate van de IGBT van de poot, die wordt opgeladen door de parasitaire condensatoren CGC en CGE. Als VGE in dit geval hoger is dan de inschakelspanning van de IGBT, kan de poot doorgeslagen zijn, wat kan leiden tot schade aan de IGBT. 

1.3 gebied van veilige exploitatie 

Veilig werkgebied (SOA) weerspiegelt het vermogen van een transistor om tegelijkertijd een bepaalde spanning en stroom te weerstaan. 

Het veilige werkgebied voor voorwaartse voorspanning (FBSOA) wanneer IGBT is ingeschakeld, wordt omgeven door drie grenzen: stroom, spanning en stroomverbruik. 

De maximale collectorstroom Icm wordt ingesteld om dynamische vergrendeling te voorkomen, de maximale collector-emitterspanning Ucem wordt bepaald door de doorslagspanning van transistoren in IGBT's en het maximale stroomverbruik wordt bepaald door de maximaal toegestane overgangstemperatuur. 

Hoe langer de geleidingstijd, hoe ernstiger de koorts en hoe smaller het veilige werkgebied. 

Het veilige werkgebied (RBSOA) van de reverse bias van IGBT varieert met de dVCE/dt wanneer de IGBT is uitgeschakeld. Hoe hoger de dVCE/dt, hoe smaller de RBSOA. Het veilige werkgebied (RBSOA) van de reverse bias van IGBT varieert met de dVCE/dt wanneer de IGBT is uitgeschakeld. Hoe hoger de dVCE/dt, hoe smaller de RBSOA.  

2. Aansturing van IGBT-module voor voertuig 

2.1 Invloed van netweerstand 

De IGBT-module is een geïsoleerd gate-apparaat. De gate-emitter (of gate-source) van de IGBT heeft een capacitieve structuur en de parasitaire inductantie van het gatecircuit is onvermijdelijk. Zonder gateweerstand zal het gatecircuit sterk oscilleren onder invloed van de aansturingspuls van de driver. Daarom moet een weerstand in serie worden geschakeld om de weerstand snel te verzwakken. 

Het in- en uitschakelproces van IGBT bestaat voornamelijk uit het laden en ontladen van parasitaire capaciteit of inductie, wat allemaal reactieve componenten zijn. Als er geen gateweerstand is, wordt het grootste deel van het aandrijfvermogen verbruikt door de uitgangsbuis in de driver en zal de temperatuur ervan aanzienlijk stijgen. Tegelijkertijd kan de gateweerstand ook de in- en uitschakelsnelheid van het schakelapparaat aanpassen, maar een te hoge aandrijfsnelheid zal de spannings- en stroomveranderingssnelheid van het schakelapparaat aanzienlijk verhogen, en de piekspanning en -stroom die door IGBT worden gedragen, zullen toenemen. In de werkelijke voertuigomgeving is het het beste om een ​​niet-inductieve weerstand te gebruiken. Als het een gemeenschappelijke weerstand is, kan deze worden vervangen door meerdere parallel geschakelde weerstanden. Enerzijds kan dit de lusinductie en de invloed ervan op de aandrijfspanningsgolfvorm verminderen; anderzijds kunnen meerdere weerstanden de aandrijfstroom delen, wat bevorderlijk is voor een verbeterde thermische diffusie. Als één enkele weerstand beschadigd raakt, raakt het systeem beschadigd. 

Wanneer de IGBT wordt aangestuurd, zal het interferentiesignaal ervoor zorgen dat het gatesignaal wordt vernietigd, wat resulteert in een hoge reverse recovery piekspanning. Wanneer een zeer korte blokkeringspuls wordt gegenereerd ten opzichte van de VGE van de IGBT, wordt de vrijloopdiode aan de aftakkingszijde van de IGBT ingeschakeld en gaat deze zeer snel over naar de reverse recovery-toestand. Tijdens het reverse recovery-proces gaat deze pas over naar de reverse recovery-toestand nadat de ladingdragers volledig zijn geaccumuleerd. Als er op dat moment een smalle interferentiepuls is, gaat de snelle vrijloopdiode over naar de reverse recovery-toestand voordat de ladingdragers volledig zijn geaccumuleerd, en breidt de depletielaag zich snel uit, wat resulteert in een sterke DI/DT en DV/DT. Tijdens het reverse recovery van de smalle puls wordt een hoge reverse recovery piekspanning gegenereerd tussen GE en de IGBT. Op dit moment kan de piekspanning worden verlaagd door de gate-ingangsweerstand RG te verhogen, de inductantie van het ingangscircuit te verlagen, het buffercircuit te versterken en een clampcircuit toe te voegen.  

2.2 Poortaandrijfcircuit 

Omdat de schakelkarakteristieken en het veilige werkgebied van IGBT veranderen wanneer het gate-aanstuurcircuit verandert, hebben de prestaties van het aanstuurcircuit rechtstreeks invloed op de normale werking van IGBT. 

Bekijk de IGBT-verklaring. 

Het stuurcircuit moet de juiste voorwaartse gatespanning aan de IGBT leveren. 

Nadat de IGBT is ingeschakeld. 

De stuurspanning en -stroom die het stuurcircuit aan de IGBT levert, moeten voldoende amplitude hebben om de uitgangsvermogenstrap van de IGBT in verzadiging te houden. 

Wanneer de module onmiddellijk wordt overbelast, moet het door het gate-stuurcircuit geleverde aandrijfvermogen voldoende zijn om te voorkomen dat de IGBT het verzadigingsgebied verlaat. 

De spanningsval van IGBT na geleiding is gerelateerd aan de aangelegde VGE-spanning. Bij een constante ICE-stroom geldt: hoe hoger de VGE, hoe lager de VCE-waarde en hoe kleiner het geleidingsverlies van het apparaat, wat gunstig is om de werking van de transistor volledig te benutten. 

VGE is echter niet zo hoog mogelijk. Over het algemeen mag deze niet hoger zijn dan 20 V, omdat bij overstroom of kortsluiting de stroomsterkte hoger wordt naarmate de gatespanning hoger is, en de kans op IGBT-schade groter is. 

Normaal gesproken is +15V geschikt voor een uitgebreide overweging. 

De gate-limietspanning van IGBT bedraagt ​​doorgaans +20 V. Als het stuursignaal dit bereik overschrijdt, kan de gate beschadigd raken. 

Daarom moet er een spanningsbegrenzend circuit zijn tussen het stuurcircuit en de poort om de poort te beschermen tegen doorslag wanneer de poortspanning te hoog is. 

De motorcontroller van elektrische voertuigen wordt aangestuurd door een driefasenbrug, en er zijn zes IGBT-groepen nodig om de driefasenbrugarm in PWM-toestand te laten werken. Elke IGBT-module heeft een voeding nodig die geïsoleerd is van andere modules. 

Om de integratie te verbeteren en de kosten te verlagen, worden PWM-besturingschips zoals de SG3525 vaak gebruikt om tweekanaals PWM-signalen uit te voeren, pulstransformatoren aan te sturen en tweekanaals voedingen te genereren. Zoals weergegeven in figuur 3 is U3 in de figuur SG3525, een monolithische geïntegreerde PWM-besturingschip met uitstekende prestaties, complete functies en sterke veelzijdigheid, die twee PWM-signalen met complementaire werkverhoudingen uitvoert. Het is eenvoudig, betrouwbaar, handig en flexibel in gebruik, en de uitvoeraandrijving is een push-pull-uitvoer, wat de aandrijfcapaciteit vergroot. Het bevat een intern onderspanningsvergrendelingscircuit, een softstart-regelcircuit en een PWM-vergrendeling. Het heeft een overstroombeveiligingsfunctie, instelbare frequentie en kan de maximale inschakelduur beperken. Om spanningsisolatie te realiseren, werkt PWM-besturing in een open-lusstatus. Pas de windingsverhouding van pulstransformator TR20 zo aan dat de uitgangsspanning van de bovenste wikkeling wordt gelijkgericht door een gelijkrichtbrug bestaande uit D20, D21, D22 en D23, en de +18V door een instelbare spanningsregelaar U20 wordt geleid. 

图3 Netvoeding 

Wanneer de IGBT wordt uitgeschakeld, omdat andere onderdelen van de schakeling nog steeds werken, worden er hoogfrequente oscillatiesignalen gegenereerd in de gateschakeling. Als deze signalen licht zijn, bevindt de IGBT die uitgeschakeld zou moeten worden zich in een micropass-toestand, wat het stroomverbruik van de buis verhoogt. 

Het stroomtoevoercircuit verkeert opnieuw in een kortsluitingstoestand. 

Daarom moet het aanstuurcircuit voldoende reverse gate-spanning aan de IGBT kunnen leveren tijdens het uitschakelen van de IGBT. 

Pas de wikkelverhouding van de pulstransformator TR20 zodanig aan dat de uitgangsspanning van de onderste wikkeling wordt gelijkgericht door de gelijkrichtbrug bestaande uit D24, D25, D26 en D27, en de -10V spanning de omgekeerde gatespanning op de IGBT toepast in de uitgeschakelde toestand. Zo wordt gewaarborgd dat de IGBT nog steeds betrouwbaar kan worden uitgeschakeld wanneer de gate schakelruis vertoont. 

2.3 Isolatie en bescherming van de aandrijfpoort 

In grote voertuigen zoals elektrische bussen is het uitgangsvermogen van de motorcontroller groot, evenals de benodigde aandrijfstroom. Wanneer het voertuig snel accelereert of remt, kan de momentane impulsstroom enkele honderden ampères bereiken. Twee IGBT-modules worden vaak parallel geschakeld of er wordt een hoogvermogen-IGBT gebruikt om het uitgangsvermogen te verbeteren. Zoals weergegeven in figuur 4. 

In de afbeelding worden de ingangssignalen PWM1A en PWM1B gebruikt om respectievelijk de bovenste en onderste armen van IGBT-modules U1 en U2 aan te sturen. De bovenste armen van IGBT-modules U1 en U2 zijn verbonden met de uitgang van het totem pole-circuit van PWM1A, en de onderste armen van IGBT-modules U1 en U2 zijn verbonden met de uitgang van het totem pole-circuit van PWM1B. Wanneer het frontsignaal PWM1A wordt ingevoerd, worden de twee bovenste armen tegelijkertijd ingeschakeld en de onderste armen uitgeschakeld; anders worden de onderste armen tegelijkertijd ingeschakeld en uitgeschakeld. 

Twee IGBT-modules worden parallel geschakeld, waardoor de uitgangsstroom en het vermogen van IGBT-modules toenemen. 

Om te voorkomen dat de ophoping van gate-lading en de gate-source-spanningspieken tijdens het werkproces de IGBT beschadigen, kunnen er beveiligingselementen worden geplaatst tussen G en E, zoals weergegeven in Afbeelding 5. 

De weerstanden R112, R212, R122, R222 worden gebruikt om de opgehoopte lading van de gate te ontladen [5]; twee zenerdioden D111, D112, D211, D212, D121, D122, D221, D222 in serie geschakeld. Dit om te voorkomen dat de spanningspiek tussen de gate en de source de IGBT beschadigt. 

DEC1 en DEC2 in de afbeelding zijn de foutdetectiesignalen van de aanstuurmodule M57962L naar de IGBT. Nadat ze door diodes en weerstanden zijn gegaan, wordt DEC1 aangesloten op de C-aansluiting van de IGBT en DEC2 op de E-aansluiting van de IGBT. 

Figuur 4 Parallel IGBT-uitgangscircuit 

Figuur 5 M57962L Geïsoleerd stuurcircuit 

Omdat de spanning van de accu van een elektrisch voertuig hoog is, werkt IGBT met een hoge spanning en stroomsterkte. 

Er is voldoende elektrisch isolatievermogen voor de ingang en uitgang vereist. 

Het aandrijfcircuit moet qua potentiaal strikt geïsoleerd zijn van het gehele regelcircuit. Het speciale IGBT-aandrijfcircuit van de Mitsubishi M57962L is elektrisch geïsoleerd door snelle foto-elektrische koppeling. Dit dikfilmcircuit heeft een korte vertraging bij signaaloverdracht, de signaalsprongvertraging is minder dan 1.5 µs en de hoogste werkfrequentie is 20 kHz. Het maakt gebruik van dual-power aandrijftechnologie en de voeding gebruikt een dubbele spanning van +15 V/-10 V, waardoor de negatieve gatespanning van de uitgang relatief hoog is [6]. 

Zoals weergegeven in figuur 5, maakt elke IGBT-brugarm gebruik van twee M57962L-connectoren, waarbij U1 de IGBT van de bovenste brugarm aanstuurt en U2 de IGBT van de onderste brugarm. DEC1 en DEC2 zijn de IGBT-foutsignaaldetecties in figuur 4. Wanneer een fout wordt gedetecteerd, schakelt M57962L enerzijds de IGBT uit en anderzijds wordt het foutsignaal dat wordt uitgevoerd via pin 8 van M57962L geïsoleerd door optocouplers PC10 en PC20 en teruggevoerd naar de CPU. Daarnaast is er een hardwarematige vergrendelingsschakeling aanwezig op de PWM-ingangsaansluiting van M57962L. Wanneer het ingangssignaal van de ene halve brug een hoog niveau heeft, wordt het ingangssignaal van de andere halve brug tegelijkertijd verlaagd om te voorkomen dat beide rijlichten worden ingeschakeld vanwege het abnormale ingangssignaal. 

Zorg ervoor dat het circuit veilig en betrouwbaar kan werken. 

3. Bescherming van IGBT voor voertuigmotorcontroller

3.1 Overspannings- en overspanningsbeveiliging van IGBT voor voertuigmotorcontroller 

Wanneer de motorcontroller van het elektrische voertuig in gebruik is, verandert de motor, als gevolg van veelvuldig accelereren, wanneer het elektrische voertuig feedbackremt, naar een stroomopwekkingstoestand en is de energie die naar de DC-bus wordt gevoerd relatief groot. 

Op dit moment wordt de spanning op de DC-bus van het elektrische voertuig gesuperponeerd met de feedbackspanning die wordt gegenereerd tijdens het feedbackremmen, plus de spanning die wordt geleverd door de accu. Na de daadwerkelijke test, wanneer de DC-busspanning 538 V bedraagt, overschrijdt de maximale piekspanning 800 V. Tegelijkertijd genereert de collector di/dt ook een hoogamplitude overspanning op de gedistribueerde inductantie van het hoofdcircuit tijdens het uitschakelen van de IGBT en het terugdraaien van de vrijloopdiode die ermee is verbonden. 

De stationaire overspanning wordt gedetecteerd door het bijbehorende hardwarecircuit, dat wordt beschermd door de hoofdbesturings-CPU. Bij een transiënte pulserende DC-overspanning wordt de DC-linkcondensator gebruikt om de spanning te absorberen en wordt het interne RC- of RCD-absorptienetwerk gebruikt om het IGBT-hoofdcircuit te bufferen en te beschermen. 

DC-Link heeft een lage ESL, hoge piekspanning, de hoogste spanning van 1200 V en een hoge rimpelstroom. IGBT werkt in PWM-modus, dus het systeem moet een aanzienlijke rimpelstroom kunnen leveren. DC-Link kan een effectieve rimpelstroom van meer dan 40 A leveren. 

En wordt niet beïnvloed door overspanning die wordt gegenereerd tijdens het schakelen, om ervoor te zorgen dat de spanningsschommelingen op de DC-bus binnen het toegestane bereik blijven. En wordt niet beïnvloed door overspanning die wordt gegenereerd tijdens het schakelen, om ervoor te zorgen dat de spanningsschommelingen op de DC-bus blijft binnen het toegestane bereik.  

3.2 Toepassing van IGBT in voertuigmotorcontrollers 

In de praktische toepassingsomgeving van elektrische voertuigen kan de transiënte piekstroom van IGBT's, vanwege het hoge vermogen van de motor, oplopen tot meer dan 700 A. We gebruiken twee 2MBI450VN-120-50IGBT's van Fuji Company voor parallelle uitvoer (de karakteristieke parameters van deze IGBT's staan ​​in tabel 1). De uitgangsstroom van de parallelle IGBT's kan daardoor ongeveer 900 A bedragen, wat voldoet aan de stroomvereisten van het voertuig. De elektrische karakteristieke parameters van de 2MBI450VN staan ​​in tabel 1. 

Om interferentie door verspreide strooicapaciteit op het IGBT-gate-aanstuurcircuit te voorkomen, lassen we de aandrijfprintplaat direct op de ingangspennen van twee IGBT-modules en sluiten we de deoscillerende capaciteit en het bidirectionele begrenzingscircuit parallel aan op de gate-ingangsaansluitingen. Als de IGBT wordt blootgesteld aan kortsluitstroom, kan deze effectief worden beschermd door deze tijdig uit te schakelen. 

Eén van de manieren om vast te stellen of er sprake is van overstroom bij een IGBT, is door de spanningsval (VCE) van de buis te meten. 

Wanneer de IGBT wordt ingeschakeld en VCE te hoog is, ontstaat er kortsluiting en moet de IGBT onmiddellijk worden uitgeschakeld. 

Wanneer de IGBT wordt uitgeschakeld door overstroom, zal de Ldi/dt te hoog zijn als de IGBT te snel wordt uitgeschakeld. Dit komt door de grote stroomamplitude in de IGBT en er zal een hoge piekspanning worden gegenereerd aan beide uiteinden van de IGBT, waardoor de IGBT gemakkelijk beschadigd kan raken. Daarom wordt de "zachte, langzame uitschakeling"-methode toegepast. 

Het M57962L-aandrijfcircuit is ontworpen volgens de bovenstaande theorie. 

Wanneer de IGBT overbelast of kortgesloten is, stijgt het collectorpotentiaal van de IGBT en neemt de stroom die via de externe diode naar het detectiecircuit loopt toe. Het gate-uitschakelcircuit schakelt het gate-stuursignaal van de IGBT uit en tegelijkertijd wordt een laag "overbelasting/kortsluiting"-indicatiesignaal afgegeven op pin 8. 

Figuur 7 toont de golfvormen van spanning en stroom wanneer de IGBT wordt in- en uitgeschakeld. Uit de afbeelding blijkt dat naarmate de gatespanning stijgt, de C-poolstroom stijgt, terwijl de VCE-spanning daalt. Wanneer de IGBT wordt uitgeschakeld, is de gatespanning negatief, daalt de C-poolstroom en stijgt de VCE-spanning tot de voedingsspanning. 

Figuur 7 IGBT-uitschakelspanning en stroomgolfvormdiagram 

4. Conclusie 

Op basis van de praktische toepassing wordt in dit artikel het ontwerpconcept van het IGBT-moduleaandrijfcircuit van de motorcontroller van een elektrisch voertuig uiteengezet. Daarnaast worden de kenmerken van de IGBT-module, het ontwerp en de beveiliging van het gate-aandrijfcircuit, de problemen en beveiligingsmethoden voor stroom-, spannings- en temperatuurbeveiliging van de IGBT-module bij normaal gebruik samengevat en worden het bijbehorende ontwerpprincipe en verificatieschema gegeven. 

De daadwerkelijke verificatie bewijst dat dit circuit betrouwbaar, praktisch en veilig is, op grote schaal kan worden gebruikt bij het ontwerp van motorcontrollers van verschillende grootschalige elektrische voertuigen, en een groot toepassingsperspectief heeft. 

[referenties] 

[1] Wang Yingli, Du Ming, et al. extraheren parasitaire parameters van bonding-draden in IGBT-modules [J] Chemical Automation and Instrument 2014 ，41 （4） 419-422 

[2] Code voor ontwerp van IGBT-gate-drive [N/OL]http://www.docin.com/p-374404232.html 

[3] Fuji IGBT-moduletoepassingshandleiding van Fuji Electric Co., Ltd. [M]. 2011 09 

[4] Hu Man-hong, Wang Ya-qiong's invloed van parasitaire capaciteit op de veranderingssnelheid van de collectorspanning in het IGBT-schakelproces [N] Journal of Xinxiang Normal College 2007.9 45-47 

[5] Zhang Jun, Bian Qing, Ontwerp van een inverter-aandrijfcircuit op basis van IGBT [J] Automatiseringstechnologie en -toepassing 2011.30.3 103 -105 

[6] Jiang Wenqu Changmeng Een IGBT Dikke Film Circuit M57962L [J] Online http://www.paper.eud.cn 

[7] Rij- en beschermingstechnologie van IGBT voor motorcontroller van elektrisch voertuig Sunny Yangjiangming [N/OL] http://www.docin.com/p-539436665.html