芯片制造作为半导体产业的核心，是最关键也是难度最高的环节。进入10nm制程后，全球三大半导体厂商台积电、英特尔和三星都选择了继续竞争。表面上看，英特尔的进展最慢，但其他两家厂商的制程“含水量”也不小。三星的3nm制程密度已经接近英特尔的7nm制程。  
Digitimes 最近发布了一份研究报告，分析了三星、台积电、英特尔和 IBM 的半导体工艺密度问题，比较了 10nm、7nm、5nm、3nm 和 2nm 的情况。  
   
在 10nm 制程节点上，三星的晶体管密度仅为 052 亿/mm²，台积电为 053 亿/mm²，而英特尔已达到 106 亿/mm²，大约是前者的两倍。  
对于 7nm 节点，三星的工艺密度为 095 亿/mm²，台积电的工艺密度为 097 亿/mm²，而英特尔的 7nm 工艺密度为 1.8 亿/mm²，仍然高出 80% 以上。  
在随后的 5nm 制程节点上，三星实现了 127 亿/mm² 的密度，台积电达到了 173 亿/mm²，而英特尔的目标是 3 亿/mm²。三星与其他两家之间的差距越来越大。  
到 3nm 节点时，台积电的晶体管密度约为 2.9 亿/mm²，三星的晶体管密度仅为 1.7 亿/mm²，而英特尔的目标是 5.2 亿/mm²。  
关于2nm制程节点的数据并不多。IBM联合三星和其他公司公布的2nm制程密度约为333亿/平方毫米，而台积电的目标是4.9亿/平方毫米。  
事实上，上述数据并不能百分百反映各公司的技术水平，性能、功耗和成本方面的差异也必须考虑在内。然而，从摩尔定律的密度来看，英特尔在这方面基本遵循了之前的规范。三星和台积电的工艺推进注水技术早已不是什么新鲜事。  
 

当然，三星在这方面可能有些夸张。3nm工艺的密度仅相当于英特尔的7nm水平，而英特尔的5nm工艺又接近IBM的2nm水平。我不知道这究竟是英特尔过于坦诚，还是其他公司过于狡猾。

免责声明：本文转载自《Moore Core News》。本文仅代表作者个人观点，不代表Sacco Micro及业界立场。仅供转载分享，支持知识产权保护。转载请注明原出处及作者。如有任何侵权行为，请联系我们删除。

公司电话号码：+86-0755-83044319
传真：+86-0755-83975897
电子邮件：1615456225@qq.com
QQ：3518641314 李经理

QQ：332496225 邱经理

地址：深圳市龙华新区民治大道1079号展涛科技大厦C座809室