การผลิตชิปเป็นหัวใจสำคัญของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ และเป็นกระบวนการที่สำคัญและยากที่สุด หลังจากก้าวเข้าสู่เทคโนโลยี 10 นาโนเมตร บริษัทชั้นนำ 3 อันดับแรกของโลก ได้แก่ TSMC, Intel และ Samsung ต่างก็เลือกที่จะแข่งขันต่อไป โดยผิวเผินแล้ว ความคืบหน้าของ Intel ช้าที่สุด แต่ "ความได้เปรียบ" ในกระบวนการผลิตของอีกสองบริษัทก็ไม่น้อยเช่นกัน ความหนาแน่นของกระบวนการผลิต 3 นาโนเมตรของ Samsung นั้นใกล้เคียงกับ 7 นาโนเมตรของ Intel แล้ว  
เมื่อเร็วๆ นี้ Digitimes ได้เผยแพร่รายงานการวิจัยที่วิเคราะห์ปัญหาความหนาแน่นของกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ของ Samsung, TSMC, Intel และ IBM โดยเปรียบเทียบสถานการณ์ที่ขนาด 10 นาโนเมตร, 7 นาโนเมตร, 5 นาโนเมตร, 3 นาโนเมตร และ 2 นาโนเมตร  
   
ที่ระดับการผลิต 10 นาโนเมตร ความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์ของซัมซุงอยู่ที่เพียง 052 ล้าน/มม.² ส่วนของ TSMC อยู่ที่ 053 ล้าน/มม.² และของ Intel ทำได้ถึง 106 ล้าน/มม.² ซึ่งสูงกว่าประมาณสองเท่า  
สำหรับเทคโนโลยีการผลิต 7 นาโนเมตร ความหนาแน่นของกระบวนการผลิตของ Samsung อยู่ที่ 095 ล้าน/มม.² ส่วนของ TSMC อยู่ที่ 097 ล้าน/มม.² และของ Intel อยู่ที่ 180 ล้าน/มม.² ซึ่งยังคงสูงกว่าถึงกว่า 80%  
ในกระบวนการผลิต 5 นาโนเมตรต่อมา ซัมซุงทำได้ความหนาแน่น 127 ล้าน/มม.² ทีเอสเอ็มซีทำได้ 173 ล้าน/มม.² และอินเทลตั้งเป้าไว้ที่ 300 ล้าน/มม.² ช่องว่างระหว่างซัมซุงกับอีกสองบริษัทจึงกว้างขึ้น  
ด้วยเทคโนโลยีการผลิตขนาด 3 นาโนเมตร ความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์ของ TSMC อยู่ที่ประมาณ 290 ล้านตัวต่อตารางมิลลิเมตร ในขณะที่ของ Samsung อยู่ที่ 170 ล้านตัวต่อตารางมิลลิเมตร และเป้าหมายของ Intel คือ 520 ล้านตัวต่อตารางมิลลิเมตร  
ข้อมูลเกี่ยวกับเทคโนโลยีการผลิต 2 นาโนเมตรยังมีไม่มากนัก ความหนาแน่นของกระบวนการผลิต 2 นาโนเมตรที่ IBM เปิดเผยร่วมกับ Samsung และบริษัทอื่นๆ นั้นอยู่ที่ประมาณ 333 ล้าน/มม.² ในขณะที่เป้าหมายของ TSMC คือ 490 ล้าน/มม.²  
ในความเป็นจริง ข้อมูลข้างต้นไม่สามารถสะท้อนระดับเทคโนโลยีของแต่ละบริษัทได้ 100% และต้องพิจารณาถึงความแตกต่างในด้านประสิทธิภาพ การใช้พลังงาน และต้นทุนด้วย อย่างไรก็ตาม เมื่อพิจารณาจากความหนาแน่นของกฎของมัวร์แล้ว โดยพื้นฐานแล้ว Intel ปฏิบัติตามข้อกำหนดเดิมในเรื่องนี้ ส่วนการพัฒนาเทคโนโลยีการฉีดน้ำเพื่อส่งเสริมกระบวนการผลิตของ Samsung และ TSMC นั้นไม่ใช่เรื่องใหม่  
 

แน่นอนว่า Samsung อาจจะพูดเกินจริงไปในเรื่องนี้ ความหนาแน่นของโหนด 3 นาโนเมตรนั้นอยู่ในระดับเดียวกับ 7 นาโนเมตรของ Intel เท่านั้น และกระบวนการผลิต 5 นาโนเมตรของ Intel ก็ใกล้เคียงกับระดับ 2 นาโนเมตรของ IBM ผมไม่แน่ใจว่าควรจะบอกว่า Intel ซื่อสัตย์เกินไปหรือว่าบริษัทอื่นๆ ฉลาดแกมโกงเกินไปกันแน่

ข้อสงวนสิทธิ์: บทความนี้คัดลอกมาจาก "Moore Core News" บทความนี้เป็นเพียงความคิดเห็นส่วนตัวของผู้เขียนเท่านั้น และไม่ได้แสดงถึงความคิดเห็นของ Sacco Micro และอุตสาหกรรม การนำไปเผยแพร่ซ้ำและการแบ่งปันมีวัตถุประสงค์เพื่อสนับสนุนการคุ้มครองสิทธิ์ในทรัพย์สินทางปัญญา โปรดระบุแหล่งที่มาและผู้เขียนต้นฉบับเมื่อนำไปเผยแพร่ซ้ำ หากพบการละเมิดลิขสิทธิ์ โปรดติดต่อเราเพื่อลบออก

หมายเลขโทรศัพท์ของบริษัท: +86-0755-83044319
โทรสาร: +86-0755-83975897
อีเมล์: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 ผู้จัดการหลี่

QQ: 332496225 ผู้จัดการชิว

ที่อยู่: ห้อง 809 อาคาร C อาคารเทคโนโลยีจ้านเทา เลขที่ 1079 ถนนหมินจือ เขตหลงหัวใหม่ เมืองเซินเจิ้น