Au cœur de l'industrie des semi-conducteurs, la fabrication de puces est l'étape la plus critique et la plus complexe. Après l'adoption de la technologie 10 nm, les trois principaux acteurs mondiaux, TSMC, Intel et Samsung, ont choisi de poursuivre la compétition. Si Intel semble progresser plus lentement, les deux autres entreprises n'en sont pas moins à la pointe de la technologie. La finesse de gravure de 3 nm de Samsung est comparable à celle de 7 nm d'Intel.  
Digitimes a récemment publié un rapport de recherche analysant les problèmes de densité de processus des semi-conducteurs de Samsung, TSMC, Intel et IBM, en comparant les situations de 10 nm, 7 nm, 5 nm, 3 nm et 2 nm.  
   
Au niveau du nœud 10 nm, la densité de transistors de Samsung n'est que de 052 million/mm2, celle de TSMC de 053 million/mm2 et Intel a atteint 106 millions/mm2, soit environ deux fois plus.  
Pour le nœud 7 nm, la densité de processus de Samsung est de 095 million/mm2, celle de TSMC est de 097 million/mm2 et celle d'Intel en 7 nm est de 180 million/mm2, ce qui est encore plus de 80 % supérieur.  
Sur la génération suivante de 5 nm, Samsung a atteint une densité de 127 millions de points/mm², TSMC de 173 millions de points/mm², et Intel visait 300 millions de points/mm². L'écart entre Samsung et les deux autres s'est ainsi creusé.  
Avec la technologie 3 nm, la densité de transistors de TSMC est d'environ 290 millions/mm2, celle de Samsung n'est que de 170 millions/mm2 et l'objectif d'Intel est de 520 millions/mm2.  
Les données concernant la technologie 2 nm sont peu nombreuses. La densité de gravure de ce procédé, annoncée par IBM en collaboration avec Samsung et d'autres entreprises, est d'environ 333 millions de particules/mm², tandis que l'objectif de TSMC est de 490 millions de particules/mm².  
En réalité, les données ci-dessus ne reflètent pas à 100 % le niveau technique de chaque entreprise, et les différences de performances, de consommation d'énergie et de coût doivent également être prises en compte. Cependant, si l'on se fie à la loi de Moore, Intel reste globalement fidèle aux spécifications précédentes à cet égard. L'injection d'eau, technique utilisée par Samsung et TSMC pour améliorer leurs procédés de fabrication, n'est pas une nouveauté.  
 

Bien sûr, Samsung exagère peut-être un peu plus à ce sujet. La densité des nœuds 3 nm n'atteint que le niveau des nœuds 7 nm d'Intel, et le procédé 5 nm d'Intel est proche du niveau des nœuds 2 nm d'IBM. Je ne sais pas si cela signifie qu'Intel est trop honnête ou que les autres entreprises sont trop habiles.

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