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Digitimes ha recentemente pubblicato un rapporto di ricerca che analizza i problemi di densità dei processi di produzione di semiconduttori di Samsung, TSMC, Intel e IBM, confrontando le situazioni relative ai processi a 10 nm, 7 nm, 5 nm, 3 nm e 2 nm.
Nel nodo a 10 nm, la densità di transistor di Samsung è di soli 052 milioni/mm2, quella di TSMC è di 053 milioni/mm2 e Intel ha raggiunto i 106 milioni/mm2, circa il doppio.
Per il nodo a 7 nm, la densità di processo di Samsung è di 095 milioni/mm2, quella di TSMC è di 097 milioni/mm2 e quella di Intel a 7 nm è di 180 milioni/mm2, che è ancora superiore di oltre l'80%.
Con il successivo nodo a 5 nm, Samsung ha raggiunto una densità di 127 milioni/mm², TSMC una densità di 173 milioni/mm² e l'obiettivo di Intel era di 300 milioni/mm². Il divario tra Samsung e le altre due si è ampliato.
Con il nodo a 3 nm, la densità di transistor di TSMC è di circa 290 milioni/mm2, quella di Samsung è di soli 170 milioni/mm2 e l'obiettivo di Intel è di 520 milioni/mm2.
Non ci sono molti dati sul nodo a 2 nm. La densità di processo a 2 nm rilasciata da IBM in collaborazione con Samsung e altre aziende è di circa 333 milioni/mm², mentre l'obiettivo di TSMC è di 490 milioni/mm².
In realtà, i dati sopra riportati non possono riflettere al 100% il livello tecnico di ciascuna azienda, e occorre tenere conto anche delle differenze in termini di prestazioni, consumo energetico e costi. Tuttavia, a giudicare dalla densità della Legge di Moore, Intel sostanzialmente segue le specifiche precedenti in questo senso. La promozione dell'iniezione di acqua nei processi produttivi di Samsung e TSMC non è una novità.
Certo, Samsung potrebbe esagerare un po' in questo senso. La densità dei nodi a 3 nm è solo al livello dei 7 nm di Intel, e il processo a 5 nm di Intel è vicino al livello dei 2 nm di IBM. Non so se si debba dire che Intel è troppo onesta o che le altre aziende sono troppo furbe.
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