La fabricación de chips, pilar fundamental de la industria de semiconductores, es la más crítica y compleja. Tras la llegada del nodo de 10 nm, las tres principales compañías del mundo —TSMC, Intel y Samsung— han optado por seguir compitiendo. A simple vista, el progreso de Intel es el más lento, pero la capacidad de producción de las otras dos compañías no es menor. La densidad de producción de 3 nm de Samsung es similar a la de 7 nm de Intel.  
Digitimes publicó recientemente un informe de investigación que analiza los problemas de densidad de los procesos de semiconductores de Samsung, TSMC, Intel e IBM, comparando las situaciones de 10 nm, 7 nm, 5 nm, 3 nm y 2 nm.  
   
En el nodo de 10 nm, la densidad de transistores de Samsung es de solo 052 millones/mm2, la de TSMC es de 053 millones/mm2, e Intel ha alcanzado los 106 millones/mm2, lo que supone aproximadamente el doble.  
Para el nodo de 7 nm, la densidad de proceso de Samsung es de 095 millones/mm2, la de TSMC es de 097 millones/mm2 y la de Intel es de 180 millones/mm2, lo que sigue siendo más de un 80 % superior.  
En el siguiente nodo de 5 nm, Samsung logró una densidad de 127 millones/mm2, TSMC alcanzó una densidad de 173 millones/mm2, y el objetivo de Intel era de 300 millones/mm2. La diferencia entre Samsung y los otros dos se ha ampliado.  
En el nodo de 3 nm, la densidad de transistores de TSMC es de aproximadamente 290 millones/mm2, la de Samsung es de solo 170 millones/mm2, y el objetivo de Intel es de 520 millones/mm2.  
No hay muchos datos sobre el nodo de 2 nm. La densidad del proceso de 2 nm publicada por IBM junto con Samsung y otras compañías es de aproximadamente 333 millones/mm2, y el objetivo de TSMC es de 490 millones/mm2.  
De hecho, los datos anteriores no reflejan al 100% el nivel técnico de cada empresa, y también deben tenerse en cuenta las diferencias en rendimiento, consumo de energía y coste. Sin embargo, a juzgar por la densidad de la Ley de Moore, Intel básicamente sigue las especificaciones anteriores en este aspecto. La inyección de agua para la mejora de procesos de Samsung y TSMC no es ninguna novedad.  
 

Por supuesto, Samsung podría estar exagerando en este sentido. La densidad de nodos de 3 nm solo alcanza el nivel de 7 nm de Intel, y el proceso de 5 nm de Intel se acerca al nivel de 2 nm de IBM. No sé si esto significa que Intel es demasiado honesto o que otras compañías son demasiado astutas.

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