Производство микросхем, являясь ядром полупроводниковой промышленности, представляет собой наиболее критичный и сложный процесс. После перехода на 10-нм техпроцесс три мировые компании — TSMC, Intel и Samsung — решили продолжить свою деятельность. На первый взгляд, прогресс Intel самый медленный, но уровень технологической «насыщенности» двух других компаний немал. Плотность технологического процесса Samsung в 3-нм техпроцессе сопоставима с 7-нм техпроцессом Intel.  
Недавно издание Digitimes опубликовало исследовательский отчет, анализирующий проблемы плотности технологических процессов в полупроводниковой промышленности компаний Samsung, TSMC, Intel и IBM, сравнивая ситуации с техпроцессами 10 нм, 7 нм, 5 нм, 3 нм и 2 нм.  
   
На 10-нм техпроцессе плотность транзисторов у Samsung составляет всего 052 млн/мм², у TSMC — 053 млн/мм², а у Intel — 106 млн/мм², что примерно вдвое выше.  
Для 7-нм техпроцесса плотность размещения кристалла у Samsung составляет 095 млн./мм², у TSMC — 097 млн./мм², а у Intel — 180 млн./мм², что по-прежнему более чем на 80% выше.  
На последующем 5-нм техпроцессе Samsung достигла плотности 127 миллионов микросхем/мм², TSMC — 173 миллиона/мм², а Intel поставила цель достичь 300 миллионов/мм². Разрыв между Samsung и двумя другими компаниями увеличился.  
При использовании 3-нм техпроцесса плотность транзисторов у TSMC составляет около 290 миллионов/мм², у Samsung — всего 170 миллионов/мм², а целевой показатель Intel — 520 миллионов/мм².  
Данных по 2-нм техпроцессу не так много. Плотность кристалла в 2-нм техпроцессе, заявленная IBM совместно с Samsung и другими компаниями, составляет около 333 миллионов/мм², а целевой показатель TSMC — 490 миллионов/мм².  
На самом деле, приведенные выше данные не могут на 100% отражать технический уровень каждой компании, и необходимо также учитывать различия в производительности, энергопотреблении и стоимости. Однако, судя по плотности закона Мура, Intel в этом отношении в основном следует предыдущим спецификациям. Внедрение технологии впрыска воды в техпроцессы Samsung и TSMC не является новостью.  
 

Конечно, Samsung может в этом отношении преувеличивать. Плотность 3-нм техпроцессов находится лишь на уровне 7-нм техпроцессов Intel, а 5-нм техпроцесс Intel близок к уровню 2-нм техпроцессов IBM. Не знаю, следует ли сказать, что Intel слишком честна, или что другие компании слишком хитры.

Отказ от ответственности: Данная статья воспроизведена из издания "Moore Core News". Эта статья отражает только личное мнение автора и не представляет точку зрения компании Sacco Micro и отрасли в целом. Она предназначена только для перепечатки и распространения и способствует защите прав интеллектуальной собственности. Пожалуйста, указывайте первоисточник и автора при перепечатке. В случае нарушения авторских прав, пожалуйста, свяжитесь с нами для удаления публикации.

Номер телефона компании: +86-0755-83044319
Факс: +86-0755-83975897
Почта: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Менеджер Ли

QQ: 332496225 Менеджер Цю

Адрес: Комната 809, корпус C, технологический корпус Чжаньтао, проспект Миньчжи, 1079, новый район Лунхуа, Шэньчжэнь.